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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。

EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS 是用于研发的键合机。

晶圆键合类型

■   阳极键合

■   黏合剂键合

■   共熔键合

■   瞬间液相键合

■   热压键合

EVG键合机特征

■   基底高达 200mm

■   压力高达 100 kN

■   温度高达 550°C

■   真空气压低至 1·10-6 mbar

■   可选:阳极,UV固化,650℃加热器

EVG键合机加工服务

EVG设备的晶圆加工服务包含如下:

■   等离子活化直接键合

■   ComBond®

-  硅和化合物半导体的导电键合

■   高真空对准键合

■   临时键合和热、机械或者激光剖离

■   混合键合

■   黏合剂键合

■   集体D2W键合 EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。北京进口键合机

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EVG ® 805解键合系统

用途:薄晶圆解键合

特色

技术数据

EVG805是半自动系统,用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。


特征

开放式胶粘剂平台

解键合选项:

热滑解键合

解键合

机械解键合

程序控制系统

实时监控和记录所有相关过程参数

薄晶圆处理的独特功能

多种卡盘设计,可支撑**/大300 mm的晶圆/基板和载体

高形貌的晶圆处理

技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

晶片**/大300 mm

高达12英寸的薄膜

组态

1个解键合模块

选件

紫外线辅助解键合

高形貌的晶圆处理

不同基板尺寸的桥接能力 云南键合机应用EVG键合机的键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。

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EVG 晶圆键合机上的键合过程

支持全系列晶圆键合工艺对于当今和未来的器件制造是至关重要。键合方法的一般分类是有或没有夹层的键合操作。虽然对于无夹层键合,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料的沉积和组成决定了键合线的材质。

键合机软件支持

基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们分布于全球的支持结构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲 (HQ), 亚洲 (日本) 和

北美 (美国).

EVG320技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯


兆声区域传感器

可选的

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:**/大 2.5 W /cm²有效面积(**/大输出200 W)

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性

材质:不锈钢和蓝宝石


刷的参数

材质:PVA

可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)

可调参数(刷压缩,介质分配)

自动化晶圆处理系统

扫描区域兼容晶圆处理机器人领域 EVG320,使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作,达到**/高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。

可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644) EVG501键合机:卓/越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。

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EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块

2种标准工艺气体:N 2和O 2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N 2,Ar含量**/高为4%的气体)2)

通用质量流量控制器:**多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速**/高可达到20.000 sccm

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元


清洁站

清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)

腔室:由PP或PFA制成

清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5 s)

清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)


可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)

LowTemp™等离子活化室

红外检查站 针对高级封装,MEMS,3D集成等不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个键合模块。北京进口键合机

清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB,使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。北京进口键合机

熔融和混合键合系统

熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层永/久连接,该介电层用于工程衬底或层转移应用,例如背面照明的CMOS图像传感器。

混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合,从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。

EVG的熔融和混合键合设备包含:EVG301单晶圆清洗系统;EVG320自动化单晶圆清洗系统;EVG810 LT低温等离子激/活系统;EVG850 LT SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;EVG850 SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;GEMINI FB自动化生产晶圆键合系统;BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 北京进口键合机

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