BONDSCALE™自动化生产熔融系统
启用3D集成以获得更多收益
特色
技术数据
EVG BONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广/泛的熔融/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决内部设备和系统路线图（IRDS）中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术，与现有的熔融键合平台相比，BONDSCALE**提高了晶圆键合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。 EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。EVG850 TB键合机原理
对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。
主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。
键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 中国澳门价格怎么样键合机EVG和岱美经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持。
EVG ® 850 DB 自动解键合机系统
全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆
特色
技术数据
在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
特征
在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的，弯曲和翘曲的晶片
自动清洗解键合晶圆
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
高达300毫米
高达12英寸的薄膜面积
组态
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
选件
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理
EVG ® 301技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：**/大 2.5 W /cm²有效面积（**/大输出200 W）
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷子
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI，支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块：Xmax / Ymax = 18 µm 3σ EVG服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。本地键合机美元价
键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。EVG850 TB键合机原理
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火（**/高400°C）下的**/高粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS） EVG850 TB键合机原理
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