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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

GEMINI ® FB特征

新的Smart View ® NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度

多达六个预处理模块,例如:

清洁模块

LowTemp™等离子激/活模块

对准验证模块

解键合模块

XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量


可选功能:

解键合模块

热压键合模块


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、300毫米

**/高处理模块数:6 +的Smart View

® NT

可选功能:

解键合模块

热压键合模块



EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。


EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。EV Group键合机服务为先

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GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统

集成平台可实现高精度对准和熔融


特色

技术数据

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准,并结合了更高的生产率,更高的对准度和覆盖精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 美元报价键合机微流控应用键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。

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EVG ® 820层压系统

将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上

特色

技术数据

EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。


特征

将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上  

在载体晶片上精确对准的层压

保护套剥离

干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统

技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

高达300毫米

组态

1个打孔单元

底侧保护衬套剥离

层压

选件

顶侧保护膜剥离

光学对准


加热层压


EVG ® 810 LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:9x10 -2 mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)


可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力


符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS / TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物


用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对于当今和未来的器件制造是至关重要。

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EVG ® 520 IS晶圆键合机系统

单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产

特色

技术数据

EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计,具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。


特征

全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站

兼容EVG机械和光学对准器

单室或双室自动化系统

全自动的键合工艺执行和键合盖移动

集成式冷却站可实现高产量

选项:

高真空能力(1E-6毫巴)

可编程质量流量控制器

集成冷却

技术数据

**/大接触力

10、20、60、100 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:1E-5 mbar


可选:1E-6 mbar


EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。EV Group键合机服务为先

LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活,用于PAWB(等离子激/活的晶圆键合)。EV Group键合机服务为先

EVG ® 301技术数据

晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯


兆声区域传感器

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:**/大 2.5 W /cm²有效面积(**/大输出200 W)

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性

材质:不锈钢和蓝宝石


刷子

材质:PVA

可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)


可调参数(刷压缩,介质分配)


EV Group键合机服务为先

岱美仪器技术服务(上海)有限公司创办于2002-02-07,是一家贸易型的公司。经过多年不断的历练探索和创新发展,公司是一家其他有限责任公司企业,以诚信务实的创业精神、质量高效的管理团队、精悍的职工队伍,努力为广大用户提供***的产品。公司始终坚持客户需求***的原则,致力于提供高质量的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。岱美中国顺应时代发展和市场需求,通过**技术,力图保证高规格高质量的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]。

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