半导体探测器是60年代以来迅速发展起来的一种新型的射线探测器。它经常被应用于各个领域，不同类型的半导体探测器在不同的方面都有其自身的特点。按形成半导体探测器PN结的方法，可将其分为两种：离子注入型和表面位垒型。离子注入半导体探测器在我国尚未被普遍使用，其辐射剂量特性正在开发当中，因而有很大的研究空间。钝化离子注入平面硅 (Pas-sivated Implanted Planar Silian，简称PIPS) 探测器，是半导体钝化离子注入的新工艺产品。
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