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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG ® 301单晶圆清洗系统,属于研发型单晶圆清洗系统。

技术数据

EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站,该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速,毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能,是一种多功能的研发型系统,适用于灵活的清洁程序和300

mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用,以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸,从而可以轻松设置不同的工艺。 GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。三维芯片键合机高性价比选择

三维芯片键合机高性价比选择,键合机

永/久键合系统

EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来,立即在业内掀起了市场**。利用高温和受控气体环境下的高接触力,这种新颖的方法已成为当今的工艺标准,EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供**/佳的总拥有成本(TCO),并具有多种设计功能,可优化键合良率。针对MEMS,3D集成或高级封装的不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 三维芯片键合机高性价比选择EVG键合机通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。

三维芯片键合机高性价比选择,键合机

EVG ® 510晶圆键合机系统

用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容

特色

技术数据

EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。

EVG ® 301特征

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

单面清洁刷(选件)

用于晶圆清洗的稀释化学品

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程


选件

带有红外检查的预键合台

非SEMI标准基材的工具


技术数据

晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯 EVG键合机的键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。

三维芯片键合机高性价比选择,键合机

EVG ® 850 DB 自动解键合机系统

全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆

特色

技术数据

在全自动解键合机中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。


特征

在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片

自动清洗解键合晶圆

程序控制系统

实时监控和记录所有相关过程参数

自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面

适用于不同基板尺寸的桥接工具功能

模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

高达300毫米

高达12英寸的薄膜面积

组态

解键合模块

清洁模块

薄膜裱框机

选件

ID阅读

多种输出格式

高形貌的晶圆处理

翘曲的晶圆处理 对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。山西键合机技术支持

Smart View®NT-适用于GEMINI和GEMINI FB,让晶圆在晶圆键合之前进行晶圆对准。三维芯片键合机高性价比选择

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。


特征

在单个平台上的200 mm和300

mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用

通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成

支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3D VLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底


BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、300毫米

**/高 数量或过程模块

8

通量

每小时**多40个晶圆


处理系统

4个装载口

特征

多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块

XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量

光学边缘对准模块:Xmax / Ymax = 18 µm 3σ 三维芯片键合机高性价比选择

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