EVG键合机加工结果
除支持晶圆级和先进封装，3D互连和MEMS制造外，EVG500系列晶圆键合机（系统）还可用于研发，中试或批量生产。它们通过在高真空，精确控制的精/准的真空，温度或高压条件下键合来满足各种苛刻的应用。该系列拥有多种键合方法，包括阳极，热压缩，玻璃料，环氧树脂，UV和熔融键合。EVG500系列基于独特的模块化键合室设计，可实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
模块设计
各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC应用提供了多种优势。使用直接（实时）或间接对准方法可以支持大量不同的对准技术。 EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。湖南键合机可以试用吗
EVG ® 620 BA键合机选件
自动对准
红外对准，用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架：可选
隔振：被动
对准方法
背面对准：±2 µm 3σ
透明对准：±1 µm 3σ
红外校准：选件
对准阶段
精密千分尺：手动
可选：电动千分尺
楔形补偿：自动
基板/晶圆参数
尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米
厚度：0.1-10毫米
**/高堆叠高度：10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准：3个卡带站
可选：**多5个站 晶圆键合机研发生产EVG的各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。
EVG ® 850
特征
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
自动盒带间或FOUP到FOUP操作
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°
结合力：**/高5 N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件）
清洁站
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），NH 4 OH和H 2 O 2（**/大）。2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5 s）
清洁臂：**多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644）
LowTemp™等离子活化室
红外检查站
EVG ® 810 LT技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体：2种标准工艺气体（N 2和O 2）
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）
真空系统：9x10 -2 mbar
腔室的打开/关闭：自动化
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统：9x10 -3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/
Si（热氧化）
TEOS / TEOS（热氧化）
绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge
Si/Si3N4
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）
同时，EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。
EVG ® 301单晶圆清洗系统，属于研发型单晶圆清洗系统。
技术数据
EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的研发型系统，适用于灵活的清洁程序和300
mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。 晶圆键合机系统 EVG®520 IS，拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能；200 mm的单个或双腔自动化系统。EVG820键合机美元价格
我们的服务包括通过安全的连接，电话或电子邮件，对包括现场验证，进行实时远程诊断和设备/工艺排除故障。湖南键合机可以试用吗
EVG ® 850 DB 自动解键合机系统
全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆
特色
技术数据
在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
特征
在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的，弯曲和翘曲的晶片
自动清洗解键合晶圆
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
高达300毫米
高达12英寸的薄膜面积
组态
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
选件
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 湖南键合机可以试用吗
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