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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

Smart View ® NT自动键合对准系统,用于通用对准。

全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准


特色

技术数据

用于通用对准的Smart View NT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在**技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。Smart View技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行永/久键合。


特征

适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置)

用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 EVG键合机的特征有:压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。宁夏键合机推荐产品

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EVG ® 620 BA键合机选件

自动对准

红外对准,用于内部基板键对准

NanoAlign ®包增强加工能力

可与系统机架一起使用

掩模对准器的升级可能性


技术数据

常规系统配置

桌面

系统机架:可选

隔振:被动

对准方法

背面对准:±2 µm 3σ

透明对准:±1 µm 3σ

红外校准:选件

对准阶段

精密千分尺:手动

可选:电动千分尺

楔形补偿:自动

基板/晶圆参数

尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米

厚度:0.1-10毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

可选的

处理系统

标准:3个卡带站

可选:**多5个站 青海EVG620键合机LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活,用于PAWB(等离子激/活的晶圆键合)。

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EVG ® 850 SOI的自动化生产键合系统

自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850

SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是唯/一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。

EVG ® 301特征

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

单面清洁刷(选件)

用于晶圆清洗的稀释化学品

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程


选件

带有红外检查的预键合台

非SEMI标准基材的工具


技术数据

晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯 清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB,使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。

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GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统

集成平台可实现高精度对准和熔融


特色

技术数据

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准,并结合了更高的生产率,更高的对准度和覆盖精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。宁夏键合机推荐产品

EVG500系列键合机拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。宁夏键合机推荐产品

EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850

LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。 宁夏键合机推荐产品

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