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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG ® 850 TB 临时键合机特征

开放式胶粘剂平台

各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等)

适用于不同基板尺寸的桥接工具功能

提供多种装载端口选项和组合

程序控制系统

实时监控和记录所有相关过程参数

完全集成的SECS / GEM接口

可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

**长300毫米,可能有超大的托架

不同的基材/载体组合

组态

外套模块

带有多个热板的烘烤模块

通过光学或机械对准来对准模块

键合模块

选件

在线计量

ID阅读

高形貌的晶圆处理

翘曲的晶圆处理 EVG键合机提供的加工服务。ComBond键合机用于生物芯片

ComBond键合机用于生物芯片,键合机

对准晶圆键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬**造,晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来,这些工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底,例如SOI(绝缘体上硅)。

主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。

键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时,EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。 EVG501键合机免税价格EVG500系列键合机拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。

ComBond键合机用于生物芯片,键合机

EVG ® 6200 BA自动键合对准系统

用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中等和批量生产


特色

技术数据

EVG键合对准系统提供了**/高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。


特征

适用于EVG所有的200 mm键合系统

支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准

手动或电动对中平台,带有自动对中选项

全电动高/分辨率底面显微镜

基于Windows的用户界面

根据型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVG GEMINI大批量生产系统中。

键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂,可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数,从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下,可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。 EVG®500系列UV键合模块-适用于GEMINI支持UV固化的粘合剂键合。

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EVG ® 810 LT

LowTemp™等离子激/活系统

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统


特色

技术数据

EVG810  LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。


特征

表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结)

晶圆键合机制中**快的动力学

无需湿工艺

低温退火(**/高400°C)下的**/高粘结强度

适用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级基板键合

高度的材料兼容性(包括CMOS) EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度。重庆键合机服务为先

业内主流键合机使用工艺:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。ComBond键合机用于生物芯片

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。


特征

在单个平台上的200 mm和300

mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用

通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成

支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3D VLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底


BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

200、300毫米

**/高 数量或过程模块

8

通量

每小时**多40个晶圆


处理系统

4个装载口

特征

多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块

XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量

光学边缘对准模块:Xmax / Ymax = 18 µm 3σ ComBond键合机用于生物芯片

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