焊使用工具将导线施加到微芯片上时对其产生压力。将导线牢固地固定到位后，将超声波能量施加到表面上，并在多个区域中建立牢固的结合。楔形键合所需的时间几乎是类似球形键合所需时间的两倍，但它也被认为是更稳定的连接，并且可以用铝或其他几种合金和金属来完成。
不建议业余爱好者在未获得适当指导的情况下尝试进行球焊或楔焊，因为焊线的敏感性和损坏电路的风险。已开发的技术使这两个过程都可以完全自动化，并且几乎不再需要手工完成引线键合。蕞终结果是实现了更加精确的连接，这种连接往往比传统的手工引线键合方法产生的连接要持久。 EVG键合机提供的加工服务。EVG301键合机免税价格
Abouie M 等人［4］针对金—硅共晶键合过程中凹坑对键合质量的影响展开研究，提出一种以非晶硅为基材的金—硅共晶键合工艺以减少凹坑的形成，但非晶硅的实际应用限制较大。康兴华等人［5］加工了简单的多层硅—硅结构，但不涉及对准问题，实际应用的价值较小。陈颖慧等人［6］以金— 硅共晶键合技术对 MEMS 器件进行了圆片级封装［6］，其键合强度可以达到 36 MPa，但键合面积以及键合密封性不太理想，不适用一些敏感器件的封装处理。袁星等人［7]对带有微结构的硅—硅直接键合进行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蚀、清洗等对硅片表面质量影响较大的工艺，故其键合工艺限制较大。EVG560键合机国内代理对于无夹层键合工艺，材料和表面特征利于键合，但为了与夹层结合，键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。
该技术用于封装敏感的电子组件，以保护它们免受损坏，污染，湿气和氧化或其他不良化学反应。阳极键合尤其与微机电系统（MEMS）行业相关联，在该行业中，阳极键合用于保护诸如微传感器的设备。阳极键合的主要优点是，它可以产生牢固而持久的键合，而无需粘合剂或过高的温度，而这是将组件融合在一起所需要的。阳极键合的主要缺点是可以键合的材料范围有限，并且材料组合还存在其他限制，因为它们需要具有类似的热膨胀率系数-也就是说，它们在加热时需要以相似的速率膨胀，否则差异膨胀可能会导致应变和翘曲。
而EVG的键合机所提供的技术能够比较有效地解决阳极键合的问题，如果需要了解，请点击：键合机。
键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。 EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研发的键合机。 晶圆键合类型 ■阳极键合 ■黏合剂键合 ■共熔键合 ■瞬间液相键合 ■热压键合 EVG键合机特征 ■基底高达200mm ■压力高达100kN ■温度高达550°C ■真空气压低至1·10-6mbar ■可选：阳极，UV固化，650℃加热器 EVG键合机加工服务 EVG设备的晶圆加工服务包含如下： ■等离子活化直接键合 ■ComBond® -硅和化合物半导体的导电键合 ■高真空对准键合 ■临时键合和热、机械或者激光剖离 ■混合键合 ■黏合剂键合 ■集体D2W键合EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。
EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。EVG501 晶圆键合机（系统）：真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现最/高产量；研发和试生产的最/低 购置成本。中国香港键合机竞争力怎么样
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EVG®301单晶圆清洗系统，属于研发型单晶圆清洗系统。 技术数据 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的研发型系统，适用于灵活的清洁程序和300mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。EVG301键合机免税价格
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