半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅是当***行的半导体，这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果，它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划，以用于切割或切割单个裸片或方形子组件，这些单个裸片或正方形子组件可能*包含一种半导体材料或多达整个电路，例如集成电路计算机处理器。旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。四川键合机用于生物芯片
EVG®6200BA自动键合对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产 特色 技术数据 EVG键合对准系统提供了蕞/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征 适用于EVG所有的200mm键合系统 支持蕞/大200mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准 手动或电动对中平台，带有自动对中选项 全电动高/分辨率底面显微镜 基于Windows的用户界面四川键合机用于生物芯片晶圆键合机系统 EVG®520 IS，拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能；200 mm的单个或双腔自动化系统。
晶圆级封装在封装方式上与传统制造不同。该技术不是将电路分开然后在继续进行测试之前应用封装和引线，而是用于集成多个步骤。在晶片切割之前，将封装的顶部和底部以及焊锡引线应用于每个集成电路。测试通常也发生在晶片切割之前。
像许多其他常见的组件封装类型一样，用晶圆级封装制造的集成电路是一种表面安装技术。通过熔化附着在元件上的焊球，将表面安装器件直接应用于电路板的表面。晶圆级组件通常可以与其他表面贴装设备类似地使用。例如，它们通常可以在卷带机上购买，以用于称为拾取和放置机器的自动化组件放置系统。
目前关于晶片键合的研究很多，工艺日渐成熟，但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少，键合效果很差。
本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题，提出一种基于采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺，实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合，解决键合对硅晶圆表面要求极高，环境要求苛刻的问题。
在对金层施加一定的压力和温度时，金层发生流动、互 融，从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高，即当金层 发生氧化就会影响键合质量。 业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。
EVG®810LT LowTemp™等离子激/活系统 适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统 特色 技术数据 EVG810LTLowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部）。 特征 表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结） 晶圆键合机制中蕞快的动力学 无需湿工艺 低温退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘结强度 适用于SOI，MEMS，化合物半导体和gao级基板键合 高度的材料兼容性（包括CMOS）EVG的 GEMINI系列，在**小占地面积上，一样利用EVG **/高精度的Smart View NT对准技术。晶片键合机推荐型号
LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活，用于PAWB（等离子激/活的晶圆键合）。四川键合机用于生物芯片
EVG®620BA键合机选件 自动对准 红外对准，用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法 背面对准：±2µm3σ 透明对准：±1µm3σ 红外校准：选件 对准阶段 精密千分尺：手动 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准：3个卡带站 可选：蕞多5个站四川键合机用于生物芯片
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