电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。
测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。 以真空镀膜为设计目标，F10-RT 只要单击鼠标即可获得反射和透射光谱。测厚仪膜厚仪有谁在用
F10-ARc:
走在前端 以较低的价格现在可以很容易地测量曲面样品，包括眼镜和其他光学镜片的防反射涂层, *需其他设备一小部分的的价格就能在几秒内得到精确的色彩读值和反射率测量. 您也可选择升级薄膜厚度测量软件, 操作上并不需要严格的训练, 您甚至可以直觉的藉由设定任何波长范围之比较大, **小和平均值.去定义颜色和反射率的合格标准.
容易设定. 易於维护.只需将F10-ARc插上到您计算机的USB端口, 感谢Filmetrics的创新, F10-ARc 几乎不存在停机时间, 加上40,000小时寿命的光源和自动板上波长校准，你不需担心维护问题。 测厚仪膜厚仪有谁在用厚度变化 (TTV) ；沟槽深度；过孔尺寸、深度、侧壁角度。
FSM膜厚仪简单介绍：
FSM 128 厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:
美国Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界, 主要产品包括:光学测量设备: 三维轮廓仪、拉曼光谱、
薄膜应力测量设备、 红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及 漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析 (EOT)。
请访问我们的中文官网了解更多的信息。
技术介绍：
红外干涉测量技术, 非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。
产品简介：FSM 413EC 红外干涉测量设备
适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
应用:
衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)
平整度
沟槽深度
过孔尺寸、深度、侧壁角度
粗糙度
薄膜厚度
硅片厚度
环氧树脂厚度
衬底翘曲度
晶圆凸点高度(bump height)
MEMS 薄膜测量
TSV 深度、侧壁角度...
可选的厚度和折射率模块让您能够充分利用 Filmetrics F10 的分析能力。
F20系列是世界上****的台式薄膜厚度测量系统，只需按下一个按钮，不到一秒钟即可同时测量厚度和折射率。设置也非常简单,只需把设备连接到您运行Windows™系统的计算机USB端口,并连接样品平台就可以了。F20系列不同型号的选择，主要取决于您需要测量的薄膜厚度（确定所需的波长范围）。型号厚度范围*波长范围F2015nm-70µm380-1050nmF20-EXR15nm-250µm380-1700nmF20-NIR100nm-250µm950-1700nmF20-UV1nm-40µm190-1100nmF20-UVX1nm-250µm190-1700nmF20-XTµm-450µm1440-1690nm*取决于薄膜种类Filmetrics膜厚测试仪通过分析薄膜的反射光谱来测量薄膜的厚度，通过非可见光的测量，可以测量薄至1nm或厚至13mm的薄膜。测量结果可在几秒钟显示：薄膜厚度、颜色、折射率甚至是表面粗糙度。1.有五种不同波长选择(波长范围从紫外220nm至近红外1700nm)2.比较大样品薄膜厚度的测量范围是：3nm～25um3.精度高于、氧化物、氮化物；、Polyimides；3.光电镀膜应用:硬化膜、抗反射膜、滤波片。1.光源有寿命，不用时请关闭2.光纤易损，不要弯折，不要频繁插拔3.精密仪器。F40测量范围；20nm-40µm;波长：400-850nm。透明导电氧化物膜厚仪原理
监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。测厚仪膜厚仪有谁在用
集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。
故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。
测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 测厚仪膜厚仪有谁在用
