介绍俺的EMI整改经验：关于晶体部份：1、晶体到MCU的两条线不要太细，尽量短直，且这两条线与两个负载电容所包围的面积要越小越好，电容地端，好单独用较宽的走线单独引至MCU振荡地，不要与大面积地铜箔相连；2、晶体背面好是整片的地铜箔，不要走其它线，也不要在晶体正面上方走别的线；3、有的MCU与不适合的晶体配合，振幅过高，产生截顶失真，便会产生较强的基波及强烈的谐波辐射，这种情况需在Xout上造近MCU一端串几十至几百欧电阻，让振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3为宜。信号端口滤波的好坏是影响设备EMI是否超标的一个重要因素。江苏消费电子EMI分析整改报告
在晶片电源接脚、I/O接口、重要讯号介面等位置增加旁路电容，有助于滤除积体电路的开关杂讯。晶片电源接脚增加旁路电容(0.1μF)处理，电容要靠近接脚摆放。讯号线下方的地要完整，要有完整的参考面。讯号电流经过一个低阻抗的路径返还其驱动源，能够有效减小辐射，而且由于地层的遮罩作用，使得电路对外辐射的灵敏度也会降低。如果两个电路的参考电平不一致，就会产生功能问题，如杂讯容限和逻辑开关门限电平紊乱，这个接地杂讯电压就会导致地环路干扰的产生。北京PCB板EMI分析整改元器件有效降低电路EMI的技巧：当存在一个磁场时，一个由导电材料形成的环路充当了天线。
分析信号回流对EMI的影响，可以看到：信号和回流外部区域，由于磁场的极性相反，可以相互抵消，而中间部分是加强的，这也是对外辐射的主要来源。很明显，我们只要缩短信号和回流之间的距离，就可以更好的抵消的电磁场，同时也能降低中间加强部分的面积，很大压制EMI。但如果由于相邻的参考平面上存在缝隙等非理想因素，这就导致了回流的面积增大，低电感的耦合作用减弱，将会有更多的回流通过其它途径或者直接释放到空中，这就会导致EMI的很大增加。
对于电磁干扰的分析，可以从电磁能量外泄方面来考虑，如果器件向外泄露的能量越少，我们可以认为产生的电磁干扰就比较小。对于高速的数字器件来说，产生高频交流信号时的电压瞬变是产生电磁干扰的一个主要原因。我们知道，数字信号在开关输出时产生的频谱不是单一的，而是融合了很多高次谐波分量，这些谐波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降时间来决定，信号上升和下降速率越快，即开关频率越高，则产生的能量越多。所以，如果器件在很短的时间内完成很大的电压瞬变，将会产生严重的电磁辐射，这个电磁能量的外泄就会造成电磁干扰问题。如果两个电路的参考电平不一致，就会产生功能问题，如杂讯容限和逻辑开关门限电平紊乱。
培训针对研发相关工程师在产品测试与认证过程中，辐射发射以及传导发射问题的测试原理，解决思路，各类整改的方法与对策、EMI诊断工具的使用进行讲解，整个课程与工程师研发实际工作紧密联系；整个教学过程，辐射发射以及传导发射问题的定位与整改，结合技术已经成功解决项目案例进行讲解，以便让学员在产品问题解决过程中，少走或不走弯路，能够在短时间内掌握与吸收成功的EMI问题解决经验；加强整个授课环节的互动沟通与交流，参加学习人员在自己工作实践当中碰到的困惑与难题都可以在培训课上得到老师的指点与解答，同时培训课间以及课后都留有时间与学员进行问题探讨、问题分析和解答。电磁干扰或说电子设备都会产生传导性电磁杂讯干扰。长沙仪器仪表EMI分析整改仪器
由于地层的遮罩作用，使得电路对外辐射的灵敏度也会降低。江苏消费电子EMI分析整改报告
整改方案，如下：从传导的曲线上1MHz 前超标的情况可以看出差模电容X 太小了，所以修改了X 电容变成0。22uF。而1-5MHz 之间也超标，所以增加共模电感到50mH ，这项频率超标一般主要是有变压器的漏感造成的。在变压器的外面增加了一个屏蔽铜箔，并接入热地。（同时做了别外一个变压器，去除原变压器内部的屏蔽层，改变了变压器的绕线方式，在变压器的外面做了屏蔽并接入热地用备用）同时将MOS 管和双向二极管的散热片也接入热地。同时将MOS 管的D、S 两脚间增加了一个101/1KV的电容，做完以上的整改方案后做了一次测试。江苏消费电子EMI分析整改报告
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