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  • 江苏研发级EMI分析整改器件选型,EMI分析整改
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EMI分析整改基本参数
  • 品牌
  • 扬芯科技,扬芯
  • 型号
  • 齐全
EMI分析整改企业商机

从我做EMC 的整改经验来看我不能认同这些朋友的意见。对于 EMI 实际测试,整改,有经验都可以拿来大家分享,先不管理论对不对,实际结果是怎样就怎样,继续分享我的经验如下:+12V田字体输出线材上绕 CoRe(常用规格为 KN-RN250080),对辐射 60MHz-70 MHz,有改善.在次级整流管上串磁珠(常用规格为 MD-353015,MD-353012),对辐射 45MHz75MHz,120MHz-200 MHz 均有改善.一次侧地对二次侧地跨 CY 电容(容量范围 470PF-4700PF),此电容好是放在跨主变压器两地之间,对辐射 30MHz-60 MHz,有改善。在信号处理中,滤波器的使用是常见的信号处理方式之一。江苏研发级EMI分析整改器件选型

电源适配器EMI确实很难理解,很难有精确的纸面设计,但是通过研究我们还是能知道大概趋势指导设计,一般来讲,投放市场的电源适配器都是符合对应的EMI标准的,当然这里指的是民用标准。若是用军标测试,相应的会严格一些,所以EUT测试超标很正常。对电源适配器的EMI和EMC主要影响的几个因素在于电源适配器的开关电路,电路板设计和接地电路以及开关电路等各个功能电路等方面.a.消除就是用将干扰源通过热能的方式损耗掉,这种是制本的方式。b.切除干扰传导的途径就是将干扰向外传递的路径切断,使其无法向外干扰,也就是我们常做的滤波,屏蔽等方法。c.疏导干扰源这种就是将干扰源引到不是敏感的元器件上如旁路,去藉,接地等方式.江苏研发级EMI分析整改器件选型遮罩是好的解决EMI问题的有效方法。

20-30MHZ,(整改建议)1、对于一类产品可以采用调整对地 Y2 电容量或改变 Y2 电容位置;2、调整一二次侧间的 Y1 电容位置及参数值;3、在变压器外面包铜箔;变压器里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。200MHZ 以上,开关电源已基本辐射量很小,一般均可过 EMI 标准。修改 Inlet 上 L.N 对 GND 并的 CY 电容(容量范围 470PF-4700PF),对辐射的 50MHz-110MHz,190MHz-240MHz 均有改善.高压地对 Case 地跨 CY 电容(容量范围 470PF-4700PF),对辐射 40MHz-55MHz,80MHz-130MHz,160MHz-180MHz,均有改善。高压电容正负极并瓷片电或 SMD 电容(容量范围1000PF-4700PF/1KV),对辐射 40MHz-90MHz,110MHz-170MHz 均有改善。

对于电磁干扰的分析,可以从电磁能量外泄方面来考虑,如果器件向外泄露的能量越少,我们可以认为产生的电磁干扰就比较小。对于高速的数字器件来说,产生高频交流信号时的电压瞬变是产生电磁干扰的一个主要原因。我们知道,数字信号在开关输出时产生的频谱不是单一的,而是融合了很多高次谐波分量,这些谐波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降时间来决定,信号上升和下降速率越快,即开关频率越高,则产生的能量越多。所以,如果器件在很短的时间内完成很大的电压瞬变,将会产生严重的电磁辐射,这个电磁能量的外泄就会造成电磁干扰问题。在开关电源中压制噪声是非常有商业技巧的,理想的EMI及RFI会用一点点电路。

讯号线和接地平面之间存在讯号,辐射可以由讯号走线或者接地平面的中断所引起,所以要注意讯号走线下方的接地平面是否完整。有效降低电路EMI的技巧:因CMOS电路在时脉转换期间吸收的电流要高出平均流耗10mA的标准,而在时脉转换周期之间的流耗非常低甚至为零,所以辐射限制方法是电压和电流的峰值,不是平均值。在时脉转换过程中从电源至晶片电源接脚额电流浪涌是一个主要的辐射源,近端位置增加旁路电容,那晶片所需的电流直接由该电容提供,避免了电流浪涌的产生,减少了杂讯。有时候一个元件的放置方法对其有很大的影响的!福建GJB151BEMI分析整改原理

将MOS 管的D、S 两脚间增加了一个101/1KV的电容,做完以上的整改方案后做了一次测试。江苏研发级EMI分析整改器件选型

EMI整改和调试是工程师在设计中不可回避的问题:一次性很难通过昂贵的EMI一致性测试;难以捕获偶发的EMI突发信号;需要拥有较长仪器采集时间的实时频谱分析仪才可能捕获EMI突发信号;大多数频谱分析仪不是实时频谱分析仪;EMI调试中很难找到噪声来源;截短PCB线路,然后重连,才有可能找到噪声来源;很难找到导致EMI的模拟信号和/或数字信号。遇到传导测试超标问题,第一步要做的,通常是定位噪声分量主要是差模还是共模,通常的测试设备可以用来区分差共模分量,但个人觉得太麻烦,并且测试出来的是相对值,并不一定可以具备指导意义。简单的办法是,在输入端口并联一个X电容,几十nF到几百nF,如果所关心的频段测试通过了,就说明噪声的干扰主要是差模干扰,或者更准确地说,通过压低差模分量,就一定能够搞定问题。江苏研发级EMI分析整改器件选型

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