FSM 413MOT 红外干涉测量设备：
适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
应用:
衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)
平整度
厚度变化 (TTV)
沟槽深度
过孔尺寸、深度、侧壁角度
粗糙度
薄膜厚度
不同半导体材料的厚度
环氧树脂厚度
衬底翘曲度
晶圆凸点高度(bump height)
MEMS 薄膜测量
TSV 深度、侧壁角度...
如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪器。 适用于所有可让红外线通过的材料 硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物等。重庆膜厚仪售后服务
集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。
故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。
测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 重庆膜厚仪售后服务测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) ； 3 mm (双探头总厚度测量)。
FSM 8018 VITE测试系列设备
VITE技术介绍：
VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phase shear technology）
设备介绍
适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
应用:
衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)
平整度
厚度变化 (TTV)
沟槽深度
过孔尺寸、深度、侧壁角度
粗糙度
薄膜厚度
不同半导体材料的厚度
环氧树脂厚度
衬底翘曲度
晶圆凸点高度(bump height)
MEMS 薄膜测量
TSV 深度、侧壁角度...
F50 系列自动化薄膜测绘Filmetrics F50 系列的产品能以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度。一个电动R-Theta 平台可接受标准和客制化夹盘，样品直径可达450毫米。(耐用的平台在我们的量产系统能够执行数百万次的量测!)
測绘圖案可以是极座標、矩形或线性的，您也可以创造自己的测绘方法，并且不受测量点数量的限制。內建数十种预定义的测绘圖案。
不同的 F50 仪器是根据波长范围来加以区分的。 标准的 F50是很受欢迎的产品。 一般较短的波长 (例如， F50-UV) 可用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 F30样品层:分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。
F10-HC轻而易举而且经济有效地分析单层和多层硬涂层F10-HC 以 Filmetrics F20 平台为基础，根据光谱反射数据分析快速提供薄膜测量结果。 F10-HC 先进的模拟算法是为测量聚碳酸酯和其它单层和多层硬涂层(例如，底涂/硬涂层)专门设计的。
全世界共有数百台 F10-HC 仪器在工作，几乎所有主要汽车硬涂层公司都在使用它们。
像我们所有的台式仪器一样，F10-HC 可以连接到您装有 Windows 计算机的 USB 端口并在几分钟内完成设定。
包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure 8 软件FILMeasure **软件 (用于远程数据分析)CP-1-1.3 探头BK7 参考材料TS-Hardcoat-4um 厚度标准备用灯
额外的好处：应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 FSM413SP半自动机台人工取放芯片。晶圆片膜厚仪可以免税吗
F50-NIR测厚范围：100nm-250µm；波长：950-1700nm。重庆膜厚仪售后服务
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – **简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!重庆膜厚仪售后服务
