EVG®301技术数据
晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米
清洁系统
开室,旋转器和清洁臂
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:蕞高3000rpm(5秒内)
超音速喷嘴
频率:1MHz(3MHz选件)
输出功率:30-60W
去离子水流量:蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域:Ø4.0mm
材质:聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率:1MHz(3MHz选件)
输出功率:蕞大2.5W/cm²有效面积(蕞大输出200W)
去离子水流量:蕞高1.5升/分钟
有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质:不锈钢和蓝宝石
刷子
材质:PVA
可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)
可调参数(刷压缩,介质分配)
晶圆键合机系统 EVG®520 IS,拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能;200 mm的单个或双腔自动化系统。CMOS键合机高性价比选择
半导体晶圆(晶片)的直径为4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圆盘,在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正(P)型半导体或负(N)型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片,因为硅是当***行的半导体,这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果,它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划,以用于切割或切割单个裸片或方形子组件,这些单个裸片或正方形子组件可能*包含一种半导体材料或多达整个电路,例如集成电路计算机处理器。甘肃晶圆键合机烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。
共晶键合[8,9]是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点,以其作为中间键合介质层,通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此,中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多,通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身,可以降低键合工艺难度,且其液相粘结性好,故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱,故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力,同时钛也具有阻挡扩散层的作用, 可以阻止金向硅中扩散[10,11]。
表面带有微结构硅晶圆的界面已受到极大的损伤,其表面粗糙度远高于抛光硅片( Ra < 0. 5 nm) ,有时甚至可以达到 1 μm 以上。金硅共晶键合时将金薄膜置于欲键合的两硅片之间,加热至稍高于金—硅共晶点的温度,即 363 ℃ , 金硅混合物从预键合的硅片中夺取硅原子,达到硅在金硅二相系( 其中硅含量为 19 % ) 中的饱和状态,冷却后形成良好的键合[12,13]。而光刻、深刻蚀、清洗等工艺带来的杂质对于金硅二相系的形成有很大的影响。以表面粗糙度极高且有杂质的硅晶圆完成键合,达到既定的键合质量成为研究重点。EVG键合机晶圆加工服务包含如下: ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。
临时键合系统:
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3DIC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度。四川CMOS键合机
同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。CMOS键合机高性价比选择
从表面上看,“引线键合”似乎只是焊接的另一个术语,但由于涉及更多的变量,因此该过程实际上要复杂得多。为了将各种组件长久地连接在一起,在电子设备上执行引线键合过程,但是由于项目的精致性,由于它们的导电性和相对键合温度,通常*应用金,铝和铜。通过使用球形键合或楔形键合可完成此方法结合了低热量,超声波能量和微量压力的技术,可避免损坏电子电路。如果执行不当,很容易损坏微芯片或相应的焊盘,因此强烈建议在以前损坏或一次性使用的芯片上进行练习,然后再尝试进行引线键合。CMOS键合机高性价比选择