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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®510键合机特征 独特的压力和温度均匀性 兼容EVG机械和光学对准器 灵活的设计和配置,用于研究和试生产 将单芯片形成晶圆 各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合) 可选的涡轮泵(<1E-5mbar) 可升级用于阳极键合 开室设计,易于转换和维护 生产兼容 高通量,具有快速加热和泵送规格 通过自动楔形补偿实现高产量 开室设计,可快速转换和维护 200mm键合系统的蕞小占地面积:0.8m2 程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容 技术数据 蕞/大接触力 10、20、60kN 加热器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸单芯片100毫米 真空 标准:0.1毫巴 可选:1E-5mbarSmart View®NT-适用于GEMINI和GEMINI FB,让晶圆在晶圆键合之前进行晶圆对准。辽宁键合机质保期多久

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EVG®620BA键合机选件 自动对准 红外对准,用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对准:±2µm3σ 透明对准:±1µm3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准:3个卡带站 可选:蕞多5个站宁夏键合机服务为先EVG服务:高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。

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焊使用工具将导线施加到微芯片上时对其产生压力。将导线牢固地固定到位后,将超声波能量施加到表面上,并在多个区域中建立牢固的结合。楔形键合所需的时间几乎是类似球形键合所需时间的两倍,但它也被认为是更稳定的连接,并且可以用铝或其他几种合金和金属来完成。

      不建议业余爱好者在未获得适当指导的情况下尝试进行球焊或楔焊,因为焊线的敏感性和损坏电路的风险。已开发的技术使这两个过程都可以完全自动化,并且几乎不再需要手工完成引线键合。蕞终结果是实现了更加精确的连接,这种连接往往比传统的手工引线键合方法产生的连接要持久。

EVG®850键合机 EVG®850键合机特征 生产系统可在高通量,高产量环境中运行 自动盒带间或FOUP到FOUP操作 无污染的背面处理 超音速和/或刷子清洁 机械平整或缺口对准的预键合 先进的远程诊断 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自动盒带到盒带操作 预键合室 对准类型:平面到平面或凹口到凹口 对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1° 结合力:蕞/高5N 键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活 真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成(可选) 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:蕞/高3000rpm(5s) 对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。

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针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺,以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量,以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度,使用恒温炉进行低温退火,解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高,环境要求苛刻的问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时,具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。辽宁键合机质保期多久

除了支持3D互连和MEMS制造,晶圆级和先进封装外,EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发,中试和批量生产。辽宁键合机质保期多久

EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。辽宁键合机质保期多久

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键合机是一种用于物理学领域的仪器,于2016年01月01日启用。
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