一旦认为模具有缺陷，墨水标记就会渗出模具，以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中，少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素，因此可以优化芯片恢复率。
质量体系确保模具的回收率很高。晶圆边缘上的裸片经常会部分丢失。芯片上电路的实际生产需要时间和资源。为了稍微简化这种高度复杂的生产方法，不对边缘上的大多数模具进行进一步处理以节省时间和资源的总成本。
半导体晶圆的光刻和键合技术以及应用设备，可以关注这里：EVG光刻机和键合机。 LowTemp™等离子基活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子基活，用于PAWB（等离子基活的晶圆键合）。四川键合机免税价格
EVG®510晶圆键合机系统：
用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容。
特色：
EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。 免税价格键合机技术服务EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。
表面带有微结构硅晶圆的界面已受到极大的损伤，其表面粗糙度远高于抛光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有时甚至可以达到 1 μm 以上。金硅共晶键合时将金薄膜置于欲键合的两硅片之间，加热至稍高于金—硅共晶点的温度，即 363 ℃ ， 金硅混合物从预键合的硅片中夺取硅原子，达到硅在金硅二相系( 其中硅含量为 19 % ) 中的饱和状态，冷却后形成良好的键合［12，13］。而光刻、深刻蚀、清洗等工艺带来的杂质对于金硅二相系的形成有很大的影响。以表面粗糙度极高且有杂质的硅晶圆完成键合，达到既定的键合质量成为研究重点。
EVG®501键合机特征：
独特的压力和温度均匀性；
兼容EVG机械和光学对准器；
灵活的研究设计和配置；
从单芯片到晶圆；
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）；
可选的涡轮泵（<1E-5mbar）；
可升级用于阳极键合；
开室设计，易于转换和维护；
兼容试生产，适合于学校、研究所等；
开室设计，易于转换和维护；
200mm键合系统的蕞小占地面积：0.8平方米；
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。
EVG®501键合机技术数据
蕞大接触力为20kN
加热器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸单芯片100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5mbar
EVG键合机顶部和底部晶片的duli温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。
根据型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产，因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。
键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。 EVG键合机使用直接（实时）或间接对准方法，能够支持大量不同的对准技术。红外键合机技术支持
EVG键合可选功能：阳极，UV固化，650℃加热器。四川键合机免税价格
EVG®850TB临时键合机特征：
开放式胶粘剂平台；
各种载体（硅，玻璃，蓝宝石等）；
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能；
提供多种装载端口选项和组合；
程序控制系统；
实时监控和记录所有相关过程参数；
完全集成的SECS/GEM接口；
可选的集成在线计量模块，用于自动反馈回路；
技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：蕞长300毫米，可能有超大的托架
不同的基材/载体组合
组态
外套模块
带有多个热板的烘烤模块
通过光学或机械对准来对准模块
键合模块：
选件
在线计量
ID阅读
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 四川键合机免税价格
