临时键合系统：
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3DIC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 Smart View®NT-适用于GEMINI和GEMINI FB，让晶圆在晶圆键合之前进行晶圆对准。四川晶圆片键合机
GEMINI®FB特征：
新的SmartView®NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度
多达六个预处理模块，例如：
清洁模块
LowTemp™等离子基活模块
对准验证模块
解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现蕞高吞吐量
可选功能：
解键合模块
热压键合模块
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
蕞高处理模块数：6+的SmartView
®NT
可选功能：
解键合模块
热压键合模块
EVG的GEMINIFBXT集成熔融键合系统，扩展了现有标准，并拥有更高的生产率，更高的对准和涂敷精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的SmartViewNT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 晶圆片键合机实际价格EVG的各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。
在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°
结合力：蕞高5N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） EVG键合机提供的加工服务。
晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前，通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势，该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。
集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片，称为晶圆，这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后，将它们封装成单独的组件，然后将焊料引线施加到封装上。 EVG键合机顶部和底部晶片的duli温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。掩模对准键合机试用
EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。四川晶圆片键合机
EVG®6200BA自动键合对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产 特色 技术数据 EVG键合对准系统提供了蕞/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征 适用于EVG所有的200mm键合系统 支持蕞/大200mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准 手动或电动对中平台，带有自动对中选项 全电动高/分辨率底面显微镜 基于Windows的用户界面四川晶圆片键合机
