通过中心提供的试验生产线基础设施，WaveOptics将超越其客户对下个季度的预期需求，并有一条可靠的途径将大批量生产工艺和设备转移至能够大规模生产波导的指定设施适用于全球前列OEM品牌。
WaveOptics与EVG的合作突显了其致力于以可实现的价格提供高性能，商用波导来帮助客户将AR显示器推向市场的承诺。利用EVG在批量生产设备和工艺技术方面的专业知识，到2019年，AR终端用户产品将以不到600美元的价格进入市场，这是当今行业中的*低价位。 EVG的纳米压印光刻（NIL） - SmartNIL ® 是用于大批量生产的大面积软UV纳米压印光刻工艺。晶片纳米压印轮廓测量应用
EV Group的一系列高精度热压花系统基于该公司市场**的晶圆键合技术。出色的压力和温度控制以及大面积上的均匀性可实现高精度的压印。热压印是一种经济高 效且灵活的制造技术，具有非常高的复制精度，可用于**小50 nm的特征尺寸。该系统非常适合将复杂的微结构和纳米结构以及高长宽比的特征压印到各种聚合物基材或旋涂聚合物中。
NILPhotonics®能力中心-支持和开发
NILPhotonics能力中心是经过验证的创新孵化器。
欢迎各位客户来样制作，验证EVG的纳米压印设备的性能。
半导体纳米压印样机试用EVG ® 770是分步重复纳米压印光刻系统，使用分步重复纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作。
EVG ® 620 NT特征：
顶部和底部对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持***的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
敏捷处理和转换工具
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 620 NT附加功能：
键对准
红外对准
SmartNIL
µ接触印刷技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
标准光刻：比较大150毫米的碎片
柔软的UV-NIL：比较大150毫米的碎片
SmartNIL ®：在100毫米范围
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：软UV-NIL＆SmartNIL
®
曝光源：汞光源或紫外线LED光源
对准：
软NIL：≤±0.5 µm
SmartNIL ®：≤±3微米
自动分离：柔紫外线NIL：不支持；SmartNIL
®：支持
工作印章制作：柔软的UV-NIL：外部：SmartNIL ®：支持
HERCULES ® NIL特征：
全自动UV-NIL压印和低力剥离
**多300毫米的基材
完全模块化的平台，具有多达八个可交换过程模块（压印和预处理）
200毫米/ 300毫米桥接工具能力
全区域烙印覆盖
批量生产**小40 nm或更小的结构
支持各种结构尺寸和形状，包括3D
适用于高地形（粗糙）表面
*分辨率取决于过程和模板
HERCULES ® NIL技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：100至200毫米/ 200和300毫米
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率LED（i线）> 400 mW /cm²
对准：≤±3微米
自动分离：支持的
前处理：提供所有预处理模块
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
EVG的EVG ® 620 NT是智能NIL ® UV纳米压印光刻系统。
曲面基底上的纳米结构在许多领域都有着重要应用，例如仿生学、柔性电子学和光学器件等。传统的纳米压印技术通常采用刚性模板，可以实现亚10nm的分辨率，但是模板不能弯折，无法在曲面基底上压印制备纳米结构。而采用弹性模板的软压印技术可以在无外界提供压力下与曲面保形接触，实现结构在非平面基底上的压印复制，但是由于弹性模板的杨氏模量较低，所以压印结构的分辨率和精度都受到限制。基于目前纳米压印的发展现状，结合传统的纳米压印技术和软压印技术，中国科学院光电技术研究所团队发展了一种基于紫外光固化巯基-烯材料的亚100nm分辨率的复合软压印模板的制备方法，该模板包含刚性结构层和弹性基底层。（来自网络，侵权请联系我们进行删除，谢谢！） EVG®770可用于连续重复的纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作。晶片纳米压印参数
**小外形尺寸和大体积创新型光子结构提供了更多的自由度，这对于实现衍射光学元件（DOE）至关重要。晶片纳米压印轮廓测量应用
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅**简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。晶片纳米压印轮廓测量应用
