为了优化工艺链，HERCULES NIL中包括多次使用的软印章的制造，这是大批量生产的基石，不需要额外的压印印章制造设备。作为一项特殊功能，该工具可以升级为具有ISO 3 *功能的微型环境，以确保比较低的缺 陷率和比较高质量的原版复制。
通过为大批量生产提供完整的NIL解决方案，HERCULES NIL增强了EVG在***积NIL设备解决方案中的领导地位。
*根据ISO 14644
HERCULES ® NIL特征：
批量生产**小40 nm *或更小的结构
联合预处理（清洁/涂层/烘烤/寒意）和SmartNIL ®
体积验证的压印技术，具有出色的复制保真度
全自动压印和受控的低力分离，可很大程度地重复使用工作印章
包括工作印章制造能力
高功率光源，固化时间**快
优化的模块化平台可实现高吞吐量
*分辨率取决于过程和模板 SmartNIL的主要技术是可以提供低至40 nm或更小的出色的共形烙印结果。半导体设备纳米压印测样
EVG ® 720自动SmartNIL
® UV纳米压印光刻系统
自动全视野的UV纳米压印溶液达150毫米，设有EVG's专有SmartNIL ®技术
EVG720系统利用EVG的创新SmartNIL技术和材料专业知识，能够大规模制造微米和纳米级结构。具有SmartNIL技术的EVG720系统能够在大面积上印刷小至40 nm *的纳米结构，具有****的吞吐量，非常适合批量生产下一代微流控和光子器件，例如衍射光学元件（ DOEs）。
*分辨率取决于过程和模板
如果需要详细的信息，请联系我们岱美仪器技术服务有限公司。也可以访问官网，获得更多信息。 碳化硅纳米压印优惠价格 NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的**经济、高 效的方法。
EVG ® 6200 NT特征：
顶部和底部对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持***的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
敏捷处理和转换工具
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 6200 NT附加功能：
键对准
红外对准
智能NIL ®
µ接触印刷技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
标准光刻：75至200 mm
柔软的UV-NIL：75至200毫米
SmartNIL ®：**多至150mm
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：软UV-NIL＆SmartNIL
®
曝光源：汞光源或紫外线LED光源
对准：软NIL：≤±0.5 µm；SmartNIL ®：≤±3微米
自动分离：柔紫外线NIL：不支持；SmartNIL
®：支持
工作印章制作：柔软的UV-NIL：外部；SmartNIL ®：支持
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。EV Group 提供完整的UV 紫外光纳米压印光刻（UV-NIL）产品线。
SmartNIL技术简介
SmartNIL是基于紫外线曝光的全域型压印技术，可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现****的吞吐量，并具有显着的拥有成本的优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作功能。另外，主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。
EVG的EVG ® 620 NT是智能NIL ® UV纳米压印光刻系统。湖北晶圆纳米压印
高 效，强大的SmartNIL工艺提供高图案保真度，拥有高度均匀图案层和**少残留层，易于扩展的晶圆尺寸和产量。半导体设备纳米压印测样
EVG ® 7200 LA特征：
专有SmartNIL ®技术，提供了****的印迹形大面积
经过验证的技术，具有出色的复制保真度和均匀性
多次使用的聚合物工作印模技术可延长母版使用寿命并节省大量成本
强大且精确可控的处理
与所有市售的压印材料兼容
EVG ® 7200 LA技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：直径200毫米（比较大Gen3）（550 x 650毫米）
解析度：40 nm-10 µm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率窄带（> 400 mW /cm²）
对准：可选的光学对准：≤±15 µm
自动分离：支持的
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
半导体设备纳米压印测样
