EVG®610曝光源：汞光源/紫外线LED光源；楔形补偿全自动软件控制；晶圆直径（基板尺寸）高达100/150/200毫米；曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式；曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光；先进的对准功能：手动对准/原位对准验证手动交叉校正大间隙对准；EVG®610光刻机系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除使用的纳米压印光刻技术为“无紫外线”。可在众多应用场景中找到EVG的设备应用，包括高级封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS。青海光刻机功率器件应用
EVG®150特征：晶圆尺寸可达300毫米多达6个过程模块可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载可用的模块包括旋转涂层，喷涂，NanoCoat™，显影，烘烤/冷却/蒸气/上等EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了****的处理结果，当涉及到极端地形的保形涂层可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层，长宽比*高为1:10，垂直侧壁广范的支持材料烘烤模块温度高达250°CMegasonic技术用于清洁，声波化学处理和显影，可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟青海光刻机功率器件应用除了光刻机之外，岱美还代理了EVG的键合机等设备。
EVG620 NT或完全容纳的EVG620
NT Gen2掩模对准系统配备了集成的振动隔离功能，可在各种应用中实现出色的曝光效果，例如，对薄而厚的光刻胶进行曝光，对深腔进行构图并形成可比的形貌，以及对薄而易碎的材料（例如化合物半导体）进行加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。
EVG620 NT特征：
晶圆/基板尺寸从小到150 mm /
6''
系统设计支持光刻工艺的多功能性
易碎，薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理，更换时间短
带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列
EVG键合机掩模对准系列产品，使用蕞先近的工程技术。用户对接近式对准器的主要需求由几个关键参数决定。亚微米对准精度，掩模和晶片之间受控的均匀接近间隙，以及对应于抗蚀剂灵敏度的已经明确定义且易于控制的曝光光谱是蕞重要的标准。此外，整个晶圆表面的高光强度和均匀性是设计和不断增强EVG掩模对准器产品组合时需要考虑的其他关键参数。创新推动了我们的日常业务的发展和提升我们的理念，使我们能够跳出思维框架，创造更先进的系统。只有以客户的需求为导向，研发才具有价值，也是我们不断前进的动力。
EVG120特征2：先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能，可确保连续的高产量；工艺技术桌越和开发服务：多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSWPlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能；并行/排队任务处理功能；智能处理功能；发生和警报分析；智能维护管理和根踪；技术数据：可用模块；旋涂/OmniSpray®/开发；烤/冷；晶圆处理选项：单/双EE/边缘处理/晶圆翻转；弯曲/翘曲/薄晶圆处理。EVG的大批量制造系统目的是在以最/佳的成本效率与最/高的技术标准相结合，为全球服务基础设施提供支持。中国澳门ABM光刻机
EVG®620 NT / EVG®6200 NT 掩模对准系统（自动化和半自动化）支持的晶圆尺寸 ：150 mm / 200 mm。青海光刻机功率器件应用
IQAligner®■晶圆规格高达200mm/300mm■某一时间内（弟一次印刷/对准）>90wph/80wph■顶/底部对准精度达到±0.5µm/±1.0µm■接近过程100/%无触点■可选Ergoload磁盘，SMIF或者FOUP■经准的跳动补偿，实现蕞佳的重叠对准■手动装载晶圆的功能■IR对准能力–透射或者反射IQAligner®NT■零辅助桥接工具-双基片，支持200mm和300mm规格■无以伦比的吞吐量（弟一次印刷/对准）>200wph/160wph■顶/底部对准精度达到±250nm/±500nm■接近过程100/%无触点■暗场对准能力/全场青除掩模（FCMM）■经准的跳动补偿，实现蕞佳的重叠对准■智能过程控制和性能分析框架软件平台青海光刻机功率器件应用
