EVG®620NT是智能NIL®UV纳米压印光刻系统。用UV纳米压印能力为特色的EVG's专有SmartNIL通用掩模对准系统®技术，在100毫米范围内。EVG620NT以其灵活性和可靠性而闻名，它以蕞小的占位面积提供了蕞新的掩模对准技术。操作员友好型软件，蕞短的掩模和模具更换时间以及有效的全球服务支持使它们成为任何研发环境（半自动批量生产）的理想解决方案。该工具支持多种标准光刻工艺，例如真空，软，硬和接近曝光模式，以及背面对准选项。此外，该系统还为多功能配置提供了附加功能，包括键对准和纳米压印光刻。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的相当有成本效益的方法。大面积纳米压印国内代理
**的衍射波导设计商和制造商WaveOptics***宣布与EV Group（EVG）进行合作，EV Group是晶圆键合和纳米压印光刻设备的**供应商，以带来高性能增强现实（ AR）波导以当今业界*低的成本进入大众市场。波导是可穿戴AR的关键光学组件。
WaveOptics首席执行官David Hayes评论：“这一合作伙伴关系标志着增强现实行业的转折点，是大规模生产高质量增强现实解决方案的关键步骤，这是迄今为止尚无法实现的能力。” EVG的专业知识与我们可扩展的通用技术的结合将使到明年年底，AR终端用户产品的市场价格将低于600美元。“这项合作是释放AR可穿戴设备发展的关键；我们共同处于有利位置，可以在AR中引入大众市场创新，以比以往更低的成本开辟了可扩展性的新途径。” 海南纳米压印学校会用吗EVG的EVG ® 620 NT是智能NIL ® UV纳米压印光刻系统。
EVG ® 720特征：
体积验证的压印技术，具有出色的复制保真度
专有SmartNIL ®技术，多使用聚合物印模技术
集成式压印，UV固化脱模和工作印模制造
盒带到盒带自动处理以及半自动研发模式
可选的顶部对准
可选的迷你环境
适用于所有市售压印材料的开放平台
从研发到生产的可扩展性
系统外壳，可实现比较好过程稳定性和可靠性技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
75至150毫米
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率LED（i线）> 400 mW /cm²
对准：可选的顶部对准
自动分离：支持的
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。IQ Aligner®是EVG的可用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印系统。
EVG ® 520 HE特征：
用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印和纳米压印应用
自动化压花工艺
EVG专有的**对准工艺，用于光学对准的压印和压印
气动压花选项
软件控制的流程执行
EVG ® 520 HE技术数据
加热器尺寸：150毫米，200毫米
比较大基板尺寸：150毫米，200毫米
**小基板尺寸：单芯片，100毫米
比较大接触力：10、20、60、100 kN
比较高温度：标准：350°C；可选：550°C
粘合卡盘系统/对准系统
150毫米加热器：EVG ® 610，EVG ® 620，EVG ® 6200
200毫米加热器：EVG ® 6200，MBA300，的Smart View ® NT
真空：
标准：0.1毫巴
可选：0.00001 mbar EVG的纳米压印光刻（NIL） - SmartNIL ® 是用于大批量生产的大面积软UV纳米压印光刻工艺。CMOS纳米压印
HERCULES®NIL是完全集成的纳米压印光刻解决方案，可实现300 mm的大批量生产。大面积纳米压印国内代理
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大达简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。大面积纳米压印国内代理
