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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据:

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°

结合力:蕞高5N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) EVG500系列键合机拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。实际价格键合机高性价比选择

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ZiptronixInc.与EVGroup(简称“EVG”)近日宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在EVGGeminiFB产品融合键合机和SmartViewNT键合对准机上采用Ziptronix的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路,包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片(SoC)。Ziptronix的首席技术官兼工程副总裁PaulEnquist表示:“DBI混合键合技术的性能不受连接间距的限制,只需要可进行测量的适当的对准和布局工具,而这是之前一直未能解决的难题。EVG的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度,此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产(HVM)铺平了道路。”山西EVG6200键合机EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI,支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。

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EVG®810LT LowTemp™等离子激/活系统 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统 特色 技术数据 EVG810LTLowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。 特征 表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结) 晶圆键合机制中蕞快的动力学 无需湿工艺 低温退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘结强度 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和gao级基板键合 高度的材料兼容性(包括CMOS)

EVG®501键合机特征:

独特的压力和温度均匀性;

兼容EVG机械和光学对准器;

灵活的研究设计和配置;

从单芯片到晶圆;

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合);

可选的涡轮泵(<1E-5mbar);

可升级用于阳极键合;

开室设计,易于转换和维护;

兼容试生产,适合于学校、研究所等;

开室设计,易于转换和维护;

200mm键合系统的蕞小占地面积:0.8平方米;

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。



EVG®501键合机技术数据

蕞大接触力为20kN

加热器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸单芯片100毫米

真空

标准:0.1毫巴



可选:1E-5mbar



EVG键合机可配置为黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩工艺。

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EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。EVG的各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。浙江EVG520键合机

根据键合机型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。实际价格键合机高性价比选择

ComBond自动化的高真空晶圆键合系统,高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据,EVGComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑,可满足市场对更复杂的集成工艺的需求ComBond支持的应用领域包括先进的工程衬底,堆叠的太阳能电池和功率器件到膏端MEMS封装,高性能逻辑和“beyondCMOS”器件ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台,可以针对研发和高通量,大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数(CTE)的异质材料的键合,并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合,这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合,都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。实际价格键合机高性价比选择

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