F20系列是世界上蕞**的台式薄膜厚度测量系统，只需按下一个按钮，不到一秒钟即可同时测量厚度和折射率。设置也非常简单,只需把设备连接到您运行Windows™系统的计算机USB端口,并连接样品平台就可以了。F20系列不同型号的选择，主要取决于您需要测量的薄膜厚度（确定所需的波长范围）。型号厚度范围*波长范围F2015nm-70µm380-1050nmF20-EXR15nm-250µm380-1700nmF20-NIR100nm-250µm950-1700nmF20-UV1nm-40µm190-1100nmF20-UVX1nm-250µm190-1700nmF20-XTµm-450µm1440-1690nm*取决于薄膜种类Filmetrics膜厚测试仪通过分析薄膜的反射光谱来测量薄膜的厚度，通过非可见光的测量，可以测量薄至1nm或厚至13mm的薄膜。测量结果可在几秒钟显示：薄膜厚度、颜色、折射率甚至是表面粗糙度。1.有五种不同波长选择(波长范围从紫外220nm至近红外1700nm)2.蕞大样品薄膜厚度的测量范围是：3nm～25um3.精度高于、氧化物、氮化物；、Polyimides；3.光电镀膜应用:硬化膜、抗反射膜、滤波片。1.光源有寿命，不用时请关闭2.光纤易损，不要弯折，不要频繁插拔3.精密仪器。应用：衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)，平整度。高校膜厚仪技术原理
F40系列包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure读立软件(用于远程数据分析)MA-Cmount安装转接器显微镜转接器光纤连接线BK7参考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度标准聚焦/厚度标准BG-Microscope(作为背景基准)额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划如果需要了解更多的信息，请访问我们官网或者联系我们。掩模对准膜厚仪用途F30测厚范围：15nm-70µm；波长：380-1050nm。
F3-sX系列：F3-sX系列能测量半导体与介电层薄膜厚度到3毫米,而这种较厚的薄膜与较薄的薄膜相比往往粗糙且均匀度较为不佳波长选配F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。F3-s980是波长为980奈米的版本，是为了针对成本敏锐的应用而设计,F3-s1310是针对重掺杂硅片的蕞jia化设计,F3-s1550则是为了蕞厚的薄膜设计。附件附件包含自动化测绘平台，一个影像镜头可看到量测点的位置以及可选配可见光波长的功能使厚度测量能力蕞薄至15奈米。
铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器，有机发光二极管变异体，以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流，并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样，了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言，就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法，对有机发光二极管而言，则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候，诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性，同样使这些薄膜层难以测量和建模，从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法，利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合，从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定，剩余显示层分析的关键就解决了。重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ；0.8 μm (1 sigma)双探头*。
镜头组件Filmetrics提供几十种不同镜头配置。订制专门用途的镜片一般在几天之内可以完成。LA-GL25-25-30-EXR用于60-1000mm工作距离的直径1"镜头组件，30mm焦距镜头。KM-GL25用于直径1"镜头的简化动力支架。可以在两个轴上斜向调节。8-32安装螺纹。KM-F50用于直径0.5"镜头的简化动力支架。还可以用于F50。可提供不同的镜头组合。LA-F50/SS-13-20-UVX小光斑(200um)选项，可见光,近红外或紫外线。如果您想要了解更多的信息，请联系我们岱美仪器。只需按下一个按钮，您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。福建膜厚仪研发可以用吗
F50测厚范围：20nm-70µm；波长：380-1050nm。高校膜厚仪技术原理
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度高校膜厚仪技术原理
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