宁夏电池片加工

    退火的作用是使硅锭内部温度一致，消除硅锭内的应力。冷却冷却阶段隔热笼慢慢打开，压力逐渐上升，冷却阶段时间较长，其作用与退火一样重要，直接影响硅锭的性能。太阳电池多晶硅锭是一种柱状晶，晶体生长方向垂直向上，是通过定向凝固（也称可控凝固、约束凝固）过程来实现的，即在结晶过程中，通过控制温度场的变化，形成单方向热流(生长方向与热流方向相反），并要求液固界面处的温度梯度大于0，横向则要求无温度梯度，从而形成定向生长的柱状晶。铸锭车间常见事项1、在熔化和长晶阶段会出现熔化、中间长晶和边部长晶三次报警。在铸锭循环过程中，这两个阶段需密切关注。2、当炉内压力低于980mbar时，需要对炉子进行充气。回填操作时炉内压力大于这一数值时没有自动停止，需自动停止。3、铸锭过程中根据炉内出现不同情况手动调整，如适当延长长晶时间等。注意炉内的水电、气压。五、硅锭的检测,典型的电阻率分布呈现出上述的变化趋势，尾高头低。主要是因为所添加的母合金的分凝系数造成的，检测硅锭中的电阻率是否出现异常。正常情况下的硅锭红外检测结果不会出现下图红域标识的，造成此现象的原因可能为热场不稳定或硅料杂质比较多造成的。将单晶硅棒切成片，一般片厚约0.3毫米。宁夏电池片加工

    多应用于对硅片要求较高的半导体领域直拉法(Cz-czochralski)，光伏领域主要使用Cz法抽真空→检漏→压力化→熔料→稳定化→熔接→引晶→放肩→转肩→等径→收尾→停炉，以及两个重要辅助工艺——煅烧、副室隔离净化1.装料在高纯度石英坩埚中按层次装入多晶硅块料、粉料、颗粒料、掺杂剂，然后放入石墨坩埚并合炉。掺杂剂类型决定得到P型还是N型硅片2.抽空检漏合炉后，主泵对炉体内部进行抽空，为单晶生长提供洁净的环境。抽空至一定压力后，充入高纯度氩气，然后关闭，再抽，再充，反复几次，带走炉内杂质。此后要进行检漏3.压力化检漏完成，开启氩气阀，炉内压力逐渐升至晶体生长压力范围4.化料驱动石墨加热器电源，加热至大于硅的融化温度，使多晶硅和掺杂物熔化5.引晶熔液温度稳定到引晶范围后，降下籽晶接近液面，籽晶固体接触液面后，籽晶端头熔化，由于表面张力，籽晶与硅融体的固液交接面之间的硅融体冷却形成固态的硅单晶6.缩颈籽晶接触到硅液瞬间，其温度差产生的热应力引发位错，消除位错的方法是“缩颈”。在提拉过程中，逐渐缩小籽晶，将位错的排列挤压出去，并拉制细颈长度约晶棒直径大小7.放肩引晶至目标长度，减慢晶体提拉速度，降低温度，直径快速增大。

   宁夏电池片加工导电层可涂在玻璃板或者塑料片上，轻巧且有韧性，并可双面吸收光线。

    湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。PECVD等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电。使硅片的表面镀上一层SixNy薄膜。

    使Si氧化为SiO2，然后HF溶解SiO2，并生成络合物H2SiF6。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成粗糙的多孔硅层，有利于减少光发射，增强光吸收表面，为了控制化学反应的剧烈程度，有时加入一些其他的化学品。3Si+4HNO3＝3SiO2+2H2O+4NOSiO2+6HF＝H2[SiF6]+2H2OSi+HNO3+6HF＝H2SiF6+HNO2+H2O+H213绒面为什么是球形在硅与硝酸的反应中，除了生成SiO2，还生成NO气体，在硅片表面形成气泡，导致硅片表面产生球形腐蚀坑的只要原因。14为什么去除多孔硅膜酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多孔硅膜，这个多孔硅膜具有极低的发射系数，但是，它不利于p－n结的形成和印刷电极，使用稀释的NaOH溶液来去除多孔硅膜。15多晶硅绒面形貌随着反应时间的增加，表面形貌从微裂纹状到气泡状，发射率是一个先降后升的过程，其中微裂纹状织构的发射率比气泡状的低，但综合后续工艺要求表面织构的形貌应介于微裂纹状和气泡状之间。16硅片清洗中的超声波技术超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法,该方法的优点是:清洗效果好,操作简单,对于复杂的器件和容器也能,但该法也具有噪音较大、换能器易坏的缺点。该法的清理原理如下：在强烈的超声波作用下。

   整体发白或发灰，归结为NaOH浓度不够；适当增加NaOH或延长制绒时间。

    N型新世代电池的产线信息披露较少，明面上解释为企业的竞争性行为，但过度保守本身也意味着企业可能对自己跑出来的中试线数据并不满意，这点在调研中得到印证，现在N型新电池的各条路线中，并没有出现具有确定性优势的选择。曾经的光伏行业信奉旧不如新、后发优势，现在这个信条已经打破，企业愿意承受亏损提前布局，因为Know-How是光伏技术的答案，标准化生产的时代已经成为过往，当下和设备厂商共同定制方案的能力成为了企业的竞争力。实验室数据和产线数据始终有差距，异质结的技术确实在实验室中取得突破，但转化为产线上的供应能力仍需漫长的工业积淀，这正是各企业不计回报抢跑的原因。进一步提升量产电池片效率主要从两方面开展工作：一方面在现有生产线基础上进行技术性改造，包括栅线电极金属化技术等，是针对现有电池片产品本身进行的改进。另一方面，是在现有产品以外的领域进行技术突破，包括产业化设备以及关键辅助材料的研发、产业链配套等。其实这对于三条路线都是共同的，尤其是产业链配套。目前电池片环节还没有一条路线彻底走通，从大尺寸单晶硅的产业链配套来估，在N型产品的经济性被证实之后，仍需要一到两年的时滞才能完成配套。 目前太阳能电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的体。宁夏电池片加工

有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳能电池的单晶硅棒。宁夏电池片加工

    检查涂层在喷涂坩埚侧壁的过程中需用挡板遮住坩埚底部，约为侧壁3／4的地方。喷涂和刷涂过程中要均匀使液体凝聚，涂层必须满足均匀、无气泡、无脱落、无裂缝等条件方为合格。坩埚焙烧将喷好的坩埚放入烘箱内，开始坩埚焙烧,整个过程大概需要30~40小时，先快速升温至设定温度，保持几小时后，自然冷却至合适温度，再开盖冷却。值得注意的是，坩埚喷涂车间需要保持一定的温度，温度较低环境需在配比涂层时对纯水加热。原料的杂质浓度会影响铸锭炉的化料时间，铸锭炉在长晶等阶段出现异常，此时铸锭时间可能较一般工艺时间长2-4个小时，底部氮化硅的量太少会导致无法顺利脱模，硅锭底部开裂。而过量的氮化硅会覆盖住石英砂，从而导致引晶效果不明显，因此要在铸锭中做出适当的调整。多晶硅工序1、备料对多晶硅的原硅料和回收料使用PN测试仪和电阻率进行分档分类，直到达到配比质量，计算出需要的掺杂剂质量。硅料的种类大致有多晶原硅料、多晶碳头硅料、多晶硅锭回收的硅料、单晶棒或单晶头、尾料、单晶锅底料、单晶碎硅片、其他半导体工业的下脚料等。2、装料装料时操作工戴上PVC手套和防护服，轻拿轻放防止氮化硅涂层被破坏。

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