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    采用三块经过精磨后的平台进行三板互研法以达到真平平面。当被研工件不懂而研具动时，研具形体结构的确定应在基本满足刚性的前提下，尽可能考虑到便于夹持，而且体小重量轻，形体结构对称，保证运动平稳等特点。可在研具表面开不少于4条沟槽，沟槽可储藏过剩的磨料，使磨料不至于淤积而影响加工精度，同时也可储藏研磨中产生的切屑，避免划伤工件表面。还有提高切削能力和加工散热等作用。研磨压力、速度及时间(1)研磨研磨压力是影响研磨过程的重要工艺参数。施加于研具上的力，通过磨粒而作用到被研磨表面上。研磨压力对研磨剂中的磨粒浓度选择有一定的影响。当磨粒粒度确定后，对于某一确定单位研磨压力，有一个产生比较大生产率的磨料浓度。单位浓度过小，研磨作用就很微弱。随着单位压力的增大，研磨作用增加，研磨效率提高，但当单位压力增加到某一数值后呈现宝盒倾向，研磨效率达到比较大值。此后若再增加研磨压力，效率反而下降。具体分析为磨粒具有一定的抗压强度极限，当超过此极限时就会被压碎，使磨料变细，研磨能力下降。一般粗研压力控制在，精研压力控制在。具体研磨压力和磨料浓度、研磨效率关系。粗糙度要求控制在Ra0.8以内，粗糙度不高，变相增加研磨量江都研磨效率。上海精密五金平面怎么样

    国内可以生产多晶钻石微粉的厂家有北京国瑞升和四川久远，而国瑞升同时可以自己生产钻石液，因此在品质与成本上具有较大优势。美国的DiamondInnovation近推出了“类多晶钻石”，实际是对普通单晶钻石的一种改良，虽然比较坚固的结构能提供较高的切削力，但是同时也更容易造成较深的刮伤。抛光：多晶钻石虽然造成的刮伤明显小于单晶钻石，但是仍然会在蓝宝石表面留下明显的刮伤，因此还会经过一道CMP抛光，去除所有的刮伤，留下完美的表面。CMP工艺原本是针对矽基板进行平坦化加工的一种工艺，现在对蓝宝石基板同样适用。经过CMP抛光工艺的蓝宝石基板在经过层层检测，达到合格准的产品就可以交给外延厂进行磊晶了。芯片的背部减薄制程磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片，外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后，还需要切割成一粒粒的芯片，根据芯片的大小，一片2英寸的外延片可以切割成为数千至上万个CHIP。前文讲到此时外延片的厚度在430um附近，由于蓝宝石的硬度以及脆性，普通切割工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近，然后再使用镭射进行切割。

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    1操作前的准备工作，导轮处于良好的转动状态，挡圈与导轮完好配合。并启动搅拌器，同时观察研磨液是否充分搅拌均匀，清理磨盘表面物体并将表面清洗干净。须检查直线导轨是否运行良好并处于可控状态。2修面操作，如果需要更好的修面效果，须把主轴调到最高转速,同时减小修面机的运行速度。然后启动修面机前进，此时修面机刀架往研磨盘中间移动，当刀架移至研磨盘边缘正上方时，按下修面机停止按钮，此时修面机刀架停止移动。研磨盘的旋转方向为逆时针方向旋转，所以修面刀的刃口应与研磨盘的旋转方向相反。左手持修面刀，刀头朝下，刃口朝右手边，然后轻轻放入刀夹槽内，靠修面刀自身的重力让刀尖与研磨盘面接触，(我们通常把接触到的这一点叫作零点)。然后固定修面刀(锁紧刀槽侧面的固定螺钉)，修面刀安装完成，由于修面刀的刀头为金刚石材质，所以比较脆，在安装修面刀的时候一定要小心谨慎。刀架上的千分尺是用来调节切削量的，与常规千分尺的读数方法相同，只要用手逆时钟方向旋动千分尺，修面刀就会往上移动，称之为退刀，相反顺时钟方向旋动千分尺，修面刀就会往下移动，称之为进刀。(注意：粗修的比较大进刀量不能超过150um。精修的进刀量推荐20um。

    超精密双面抛光加工应用化学机械抛光(cNrn)技术，靠工件、磨粒、抛光液及抛光盘的力学作用，在工件的抛光过程中，产生局部的高温和高压，从而使直接的物理化学变化直接发生在工件与磨粒、抛光液及抛光盘之间，导致工件的表面产生物理化学变化的反应物。由于力学作用与化学作用的重迭，使得工件表面的反应物不断被磨去，从而使工件表面平滑化。双面抛光技术是在单面抛光加工技术的基础上发展起来的，由于它在薄片工件的加工过程中能有效地避免应力差与粘结误差引起的变形问题。因此与单面抛光加工相比，双面抛光具有加工效率高，表面变形小，易获得超光滑加工表面的优点。一般的超精密双面抛光系统是由承载工件和下抛光盘的工作台、施加载荷的上抛光盘、带动工件旋转运动的行星轮以及供给抛光液的装置四大构件组成，在双面抛光的过程中，由于抛光液与抛光垫之间的物理运动，导致抛光液内部的化学溶液以及磨粒于工件产生化学变化，同时在上抛光盘对工件的旋转压力的作用下，使工件表面产生的化学反应物得到切除。其原理就是，在不断的化学变化中工件表面生成一种化学膜，同时由于旋转机械摩擦切除作用去除这一层化学膜，在不停地交替中获得超精密表面。 研磨开始阶段，因研磨剂磨粒锋利，微切削作用强，零件研磨表面的几何形状误差和粗糙度较快得以纠正。

    用手逆时钟方向旋动千分尺一整圈(往上移动即退刀)，然后将修面机后退，此时修面机刀架往研磨盘外边移动,一直到自动停止或脱离磨盘边沿为止(但在此之前须记住零点位置时千分尺的刻度，这样才能保证进刀量不会出差错)。修面机后退停止之后,再用手顺时钟方向旋动千分尺一整圈(往下移动即进刀)，使其再反至零点位置，再根据研磨盘表面情况来判断是否要粗修。粗修的比较大进刀量不能超过150um，修面速度一般为15HZ，精修的进刀量推荐为20um，修面速度一般为10HZ，把进刀量与修面速度设置好之后，再把研磨盘转速设置为最高转速95转/分钟，然后依次启动研磨盘与修面机(由于研磨盘修面需要较高的转速才能得到理想的修面效果，因此在这种高速旋转的条件下，主轴噪音会比正常研磨的噪音大，这种噪音为正常噪音)，此时修面机刀架往研磨盘中间移动开始修面。为了节省时间，一般进的时候粗修，退的时候精修。如果研磨盘的表面相对比较平的话只需要精修就够了。但要注意的是：修面机在安装了修面刀的情况下，如果要启动修面机必须先启动研磨盘旋转充分之后方能启动修面机。，如需要加工螺旋槽，请参考以下操作方法，设置修面机速度为45HZ，然后设置磨盘主轴转速。

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    对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好。但是移除率太低，比较高也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，此加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。 上海精密五金平面怎么样