Si3N4 陶瓷是一种重要的结构材料，它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；除氢氟酸外，它不与其他无机酸反应，抗腐蚀能力强，高温时抗氧化. 而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1,000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂. 正是由于Si3N4 陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、长久性模具等机械构件. 如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机质量，节省燃料，而且能够提高热效率. 中国及美国、日本等国家都已研制出了这种柴油机.氮化硅陶瓷推荐，宜兴威特陶瓷值得信赖，欢迎各位新老朋友垂询！吉林氮化硅陶瓷价格
近年来，半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展。半导体器件工作产生的热量是引起半导体器件失效的关键因素，而绝缘基板的导热性是影响整体半导体器件散热的关键。此外，在电动汽车、高铁等领域，半导体器件使用过程中往往要面临颠簸、震动等复杂的力学环境，这对所用材料的力学可靠性提出了严苛的要求。氮化硅（Si3N4）陶瓷是综合性能比较好的结构陶瓷材料。Si3N4陶瓷的抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的２倍以上，特别是在材料可靠性上，Si3N4陶瓷具有其他二者无法比拟的优势。 热压氮化硅陶瓷批发厂家氮化硅陶瓷哪家专业，宜兴威特陶瓷值得信赖，期待您的光临！
氮化硅陶瓷片板是以氮化硅(si3n4)为主晶相的陶瓷基板，也叫氮化硅陶瓷基片。氮化硅陶瓷是一种高温耐热材料，其热导率高，较氧化铝陶瓷高5倍以上，膨胀系数低，与硅性能一致。使用氮化硅陶瓷为主要原材料制造而成的基板，具有高热导率、低膨胀系数、强度高、耐腐蚀、电性能优、光传输性好等优异特性，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。随着我国电子信息产业蓬勃发展，我国市场对PCB基板的需求不断上升，氮化硅陶瓷基板凭借其优异性能，市场占有率正在不断提升。
氮化硅陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕动小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小、与用油润滑的金属表面相似等诸多优异性能，是综合性比较好的结构陶瓷材料。单晶氮化硅的理论热导率可达400W/(m.k),具有成为高热导基片的潜力。 此外氮化硅的热膨胀系数为3.0乘以10-6/摄氏度左右，与SI.SIC和caas等材料匹配良好，这使得氮化硅陶瓷电路板基片将成为一种具有吸引力的强度较高导热电子器件基板资料。威特陶瓷诚信经营，量大优惠，欢迎致电咨询氮化硅陶瓷哪家好，宜兴威特陶瓷值得信赖，期待您的来电！
氧化物类烧结助剂是氮化硅陶瓷**常用的烧结助剂体系，较为常见的为金属氧化物和稀土氧化物的组合。研究表明，氮化硅陶瓷的热导率随着烧结助剂稀土元素阳离子半径的增大有减小的趋势；与添加MgO助烧结相比，添加CaO助烧结不利于氮化硅柱状晶的生长，热导率及强度普遍较低，但硬度较高。事实上Y2O3－MgO体系的烧结助剂是高导热氮化硅材料应用比较广的烧结助剂体系。除稀土氧化物被稀土非氧化物替代作为烧结助剂的研究外，还有一些研究采用Mg的非氧化物替代MgO作为烧结助剂，以达到降低晶格氧含量，提高热导率的目的。总之，非氧化物烧结助剂的使用可以降低氮化硅晶格氧，达到净化晶格，提高热导率的目的。然而非氧化物烧结助剂也存在着原料难得，成本较高，烧结难度大、条件高等问题。因此目前非氧化物烧结助剂在高导热氮化硅材料批量化制备方面还没有较广的应用。
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Si₃N₄热膨胀系数低、 导热率高， 故其耐热冲击性较好。 热压烧结的氮化硅加热到 1000℃后投入冷水中也不会破裂。 在不太高的温度下， Si₃N₄具有较高的强度和抗冲击性， 但在200℃以上会随使用时间的增长而出现破损， 使其强度降低，在 1450℃以上更易出现疲劳损坏， 所以 Si₃N₄的使用温度一般不超过 1300℃。由于 Si₃N₄的理论密度低， 比钢和工程超耐热合金钢轻得多， 所以， 在那些要求材料具有强度高、 低密度、 耐高温等性质的地方用 Si₃N₄陶瓷去代替合金钢是再合适不过了。吉林氮化硅陶瓷价格
