氮化硅陶瓷相关图片
  • 上海电焊氮化硅陶瓷,氮化硅陶瓷
  • 上海电焊氮化硅陶瓷,氮化硅陶瓷
  • 上海电焊氮化硅陶瓷,氮化硅陶瓷
氮化硅陶瓷基本参数
  • 品牌
  • 威特
  • 型号
  • WT
  • 形状
  • 可定制
  • 厂家
  • 宜兴市威特陶瓷有限公司
氮化硅陶瓷企业商机

Si3N4陶瓷及其性能特点:Si3N4具有3种结晶结构,分别是α相、β相和γ相。其中α相和β相是Si3N4较常见的形态,均为六方结构。Si3N4陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能,是综合性能比较好的结构陶瓷材料。与其他陶瓷材料相比,Si3N4陶瓷材料具有明显优势,尤其是在高温条件下氮化硅陶瓷材料表现出的耐高温性能、对金属的化学惰性、超高的硬度和断裂韧性等力学性能。氮化硅陶瓷选哪家,宜兴威特陶瓷为您服务!欢迎各位新老朋友垂询!上海电焊氮化硅陶瓷

Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物,基本结构单元为[ SiN4 ]四面体,硅原子位于四面体的中心,在其周围有四个氮原子,分别位于四面体的四个顶点,然后以每三个四面体共用一个原子的形式,在三维空间形成连续而又坚固的网络结构。氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯Si3N4为3119,有α和β两种晶体结构,均为六角晶形,其分解温度在空气中为1800℃,在011MPa氮中为1850℃。Si3N4 热膨胀系数低、导热率高,故其耐热冲击性较好。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会破裂。在不太高的温度下,Si3N4 具有较高的强度和抗冲击性,但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损,使其强度降低,在1450℃以上更易出现疲劳损坏,所以Si3N4 的使用温度一般不超过1300℃。由于Si3N4 的理论密度低,比钢和工程超耐热合金钢轻得多,所以,在那些要求材料具有强度高、低密度、耐高温等性质的地方用Si3N4 陶瓷去代替合金钢是再合适不过。耐高压氮化硅陶瓷氮化硅陶瓷哪家服务好,宜兴威特陶瓷为您服务!期待您的光临!

氮化硅铁中的Si3N4具有不与渣和铁完全润湿的优点,可以改善铁沟浇注料的抗侵蚀性;Si3N4的氧化产物会在试样表面形成SiO2保护膜,阻碍了材料的进一步氧化,增强其抗氧化性能;金属塑性相Fe具有助烧结作用,可以改善浇注料的力学性能。陈俊红等比较了8%(w)的氮化硅和氮化硅铁对Al2O3-SiC-C铁沟浇注料在1500℃时的防氧化行为。结果发现,高温氧化气氛下,表面氮化硅铁中的Si3N4首先氧化生成SiO2,构成氧化层的主体;随着铁相材料的氧化,形成的氧化铁(Fe,)降低了氧化层的熔点及熔体的黏度,增进了熔体在浇注料表面上的润湿性和流动性,形成了覆盖于浇注料表面的氧化层而阻止了炭素材料的氧化,使其具有比纯Si3N4更好的抗氧化性能。而浇注料内部的Fe并不是以氧化铁(FexO)的形式存在,对高温性能不会有害。刘斌的研究也得出同样的结论,并且发现氮化硅铁中的Si3N4在高温下氧化生成的N2和炭素材料氧化生成的CO会堵塞材料的内部气孔,从而有效地防止了进一步氧化。

氮化硅铁因含有Si3N4相,而具有Si3N4的一些优异性能,如高的耐火度,良好的抗侵蚀性,高的力学强度,良好的抗热震性,较低的热膨胀率,较高的抗氧化性等一系列优点;又因其含有Fe塑性相而具有良好的烧结性能。同时,相对于氮化硅而言,氮化硅铁价格更低廉,也便于进行工业化推广和生产,因此已被用为耐火材料的原料、高温结合相和高温结构材料,现已广泛应用于高炉铁沟浇注料和炮泥中。近年来,对氮化硅铁材料及其在耐火材料中应用的研究越来越多,也取得了一些成果。在本文中,介绍了氮化硅铁的合成、特性及其在浇注料、炮泥和复合耐火材料中应用的研究进展,并对其进行了前景展望。氮化硅陶瓷哪家专业,宜兴威特陶瓷值得信赖,欢迎有需求的朋友们联系我司!

氮化硅陶瓷在机械工业中可用作涡轮叶片、机械密封环、高温轴承、高速切削工具、长久性模具等。传统机械工业许多器件用的是金属材料,由于金属会被腐蚀,较大影响了这些器件的可靠性及使用寿命,而氮化硅陶瓷材料具有优异的耐磨性能、防腐性、抗高温热震性,可取代金属材料应用于机械工业领域。如:利用氮化硅重量轻和刚度大的特点,可用来制造滚珠轴承、它比金属轴承具有更高的精度,产生热量少,而且能在较高的温度和腐蚀性介质中操作。用氮化硅陶瓷制造的蒸汽喷嘴具有耐磨、耐热等特性,用于650℃锅炉几个月后无明显损坏,而其它耐热耐蚀合金钢喷嘴在同样条件下只能使用1-2个月。 氮化硅陶瓷选哪家,宜兴威特陶瓷为您服务!期待您的来电!吉林高温氮化硅陶瓷

氮化硅陶瓷哪家好,宜兴威特陶瓷值得信赖,欢迎各位新老朋友垂询!上海电焊氮化硅陶瓷

现代微电子技术发展异常迅速,电子系统及设备向大规模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向发展。电子系统集成度的提高将导致功率密度升高,以及电子元件和系统整体工作产生的热量增加,因此,有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题,电子封装内基板材料的导热性能则是影响整个电子系统散热的关键。氮化硅陶瓷是综合性能比较好的结构陶瓷材料,单晶氮化硅的理论热导率可达400W/(m·k),具有成为高导热基片的潜力。此外Si3N4的热膨胀系数为3.0×10-6/℃左右,与Si、SiC和GaAs等材料匹配良好,这使Si3N4成为一种极具吸引力的较强的导热的电子器件基板材料。上海电焊氮化硅陶瓷

与氮化硅陶瓷相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责