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该比较器经配置以通过将一预设电压与一实际电压进行比较来产生关于该不成熟分类的信息。在一些实施例中,该预设电压的微分决定该信号的预设回转率。在一些实施例中,该机器学习电路还包括一测量电路。该测量电路经配置以通过实际测量该信号来提供该实际电压。在一些实施例中,该测量电路包括一取样保持电路、一第二取样保持电路以及一减法器电路。该取样保持电路经配置以取样该信号的一电压。该第二取样保持电路经配置以取样该信号的一第二电压。该减法器电路经配置以通过从该第二电压中减去该电压来提供该实际电压。在一些实施例中,该实际电压的微分决定该信号的实际回转率。在一些实施例中,该机器学习电路还包括一加法器电路。该加法器电路经配置以通过将反映该差异的变化加到一预设权重来提供一经更新权重。在一些实施例中,该经学习电压是该经更新权重的函数。在本公开中,一旦进入预测阶段并且在完成该机器学习电路的训练之后,就不再需要人力。使用该机器学习电路来调整回转率是相对方便的。在比较方法中,经配置以测量信号的电压的示波器的尺寸相对较大。此外,需要手动调整回转率。结果,比较方法相对不方便。上文已相当地概述本公开的技术特征及优点。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收。天津呆滞料回收网

本实用新型属于数据录入装置技术领域,特别是涉及一种集成电路软件快速录入装置。背景技术:传统依靠计算机键盘进行信息录入模式,已经不能满足复杂生产环境下数据录入的需要。而正以追求安全化、智能化、数字化的数据录入方法成为新形势下的目标。如中国发明专利公开号“cn”名称为“一种手持式采油工数据录入仪”的**公开了一种油田采油生产中技术参数和资料的录入装置。其特征在于:该装置主要包括一个4×4的键盘,一个**处理器cpu,两个铁电存储器32k×2和一个多路选择器。该种数据录入装置结构较为简单,只能根据预设置流程和界面进行操作,操作界面死板,动态输入性较差,从而根据数据解析的设置简单。如中国发明专利公开号“cn”名称为“一种多媒体指纹考勤机”的**公开了一种多媒体指纹考勤机,包括了微处理器、指纹采集器、存储器、扬声器、tft-lcd显示屏和用于输入指令或数据的触摸屏。该种输入设备功能较为单一,输入设备操作不方便,主要为通过指纹触摸对固定指令进行操作,动态输入性较差。针对于目前工厂对产品制造良率的要求越来越高;工人人工操作机器容易疲劳且容易出错误判的问题,如何解决成为了该领域技术人员努力的方向。陕西电子物料回收上海海谷电子有限公司致力于提供电子料回收,有想法的可以来电咨询!

可以是诸如或/与/反相器(oai)或者与/或/反相器(aoi)的复合单元,还可以是诸如主从触发器或锁存器的存储单元。标准单元库可以包括关于多个标准单元的信息。例如,标准单元库可以包括标准单元的名称和功能,以及标准单元的时序信息、功率信息和布图信息。标准单元库可以存储在存储装置中,并且标准单元库可以通过访问存储装置来设置。基于输入数据和标准单元库执行布局和布线(s30),并且基于布局和布线的结果设置定义集成电路的输出数据(s40)。在一些示例实施例中,当接收的输入数据是诸如通过将集成电路合成而生成的比特流或网表的数据时,输出数据可以是比特流或网表。在其他示例实施例中,当接收的输入数据是定义集成电路的布图的数据(例如,具有图形数据系统ii(gdsii)格式的数据)时,输出数据的格式也可以是定义集成电路的布图的数据。通过图13的方法设计和制造的集成电路可以包括半导体基底、多条栅极线和多条列金属线。如参照图1至图10所述,6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数并且多个单元线路结构布置在方向上。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。参照图14,设计系统1000可以包括存储介质1100、设计模块1400和处理器1500。

调节)提供给工作mtj器件的电流来选择性地对工作mtj器件提供访问。通过使用调节访问装置来选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问,可以减小存储器阵列内的存储单元(例如,mram单元)的尺寸,因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路100的一些实施例的示意图,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路100包括具有多个存储单元104a,1至104b,2的存储器阵列102。多个存储单元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存储器阵列102内。例如,行存储单元包括存储单元104a,1和104a,2,而列存储单元包括存储单元104a,1和104b,1。在一些实施例中,多个存储单元104a,1至104b,2可以包括多个mram单元。多个存储单元104a,1至104b,2(例如,mram单元)分别包括连接至调节访问装置108的工作mtj器件106。工作mtj器件106包括磁隧道结(mtj),磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层112a与自由层114a分隔开的固定层110a。固定层110a具有固定的磁向,而自由层114a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层110a的磁向平行(即,“p”状态)或反向平行(即,“ap”状态)的磁向。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收,有想法的不要错过哦!

示出了一个处理器1500。可选地,多个处理器可以包括在设计系统1000中。此外,处理器1500可以包括增加计算容量的高速缓存存储器。这样,根据示例实施例的集成电路和设计集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。参照图14和图15,设计模块1400可以接收定义集成电路的输入数据di(s11)。布局模块1200可以参照包括如上所述的多个标准单元的标准单元库1110,以便提取与输入数据di对应的标准单元,并且可以使用提取的标准单元执行单元布局(s12)。布线模块1300可以针对布局的单元执行信号布线(s13)。当信号布线不成功时(s14:否),布局模块1200可以替换至少一个标准单元,例如,可以用另一标准单元替换至少一个标准单元,以修改单元的布局(s15)。布线模块1300可以针对修改的布局再次执行信号布线(s13)。这样,可以重复地布局和布线,直到成功完成信号布线。当信号布线成功完成时(s14:是),设计模块1400可以生成定义集成电路的输出数据do(s16)。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图16的集成电路300可以是集成电路(asic)。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收,欢迎新老客户来电!陕西电子物料回收

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公开的写入操作可以在调节mtj器件(例如,图2中的204至206)处于高电阻状态来实施,以在选择和未选择的单元之间提供隔离。如图3a的示意图300所示,写入操作的步骤通过将数据状态写入存储器阵列102的行301中的存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件来实施。通过将非零偏置电压v1(例如,2v)施加至字线wl1和wl2,将第二非零偏置电压v2(例如,6v)施加至字线wl3,将第三非零偏置电压v3(例如,8v)施加至位线bl1和bl3,并且将第四非零偏置电压v4(例如,4v)施加至位线bl2来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v1(例如,2v)和第三非零偏置电压v3(例如,8v)之间的差异使得电流i1流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw,使得存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件的状态不变。然而,来自调节mtj器件的电流加在一起,使得为电流i1的两倍的电流流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。电流i1的两倍的电流大于切换电流isw,以将数据状态写入存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。第二存储单元202a,2内的工作mtj器件不受写入操作的步骤的影响,因为非零偏置电压v1(例如。天津呆滞料回收网

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