企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 强茂Panjit,乐山LRC,新洁能NCE
  • 型号
  • v1
  • 配送方式
  • 顺丰快递
二极管企业商机

    阵列探测器的性能受到严重影响,制约其阵列规模。目前,可通过调节apd偏置电压的方法来提高阵列探测器性能的均匀性。传统方案采用dac(digitaltoanalogconverter,数模转换器)和ldo(lowdropoutregulator,低压差线性稳压器)结构相结合的调节方式来调节apd的偏置电压,即dac产生同时调节数个像素的基准电压作为ldo中误差放大器的输入,随后ldo结构根据dac提供的基准电压来实现apd偏置电压的调节。但是这种调节方式中ldo面积大且不能实现单个像素的调节,此外ldo有限的带宽较难实现apd快速充放电过程中的电压稳定性。技术实现要素:针对传统apd偏置电压调节方式中存在的面积大、不能实现单个像素的调节、电压稳定性不高等不足之处,本发明提出一种调节雪崩光电二极管apd偏置电压的方法,基于负压进行调节,扩大了apd偏置电压的调节范围,且能够实现逐像素可调的apd充电置位电压,有利于提升apd阵列的探测灵敏度,且具有面积小、响应速度快、电压准确度高等优点。本发明的技术方案为:基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路,包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块。乐山二极管原厂渠道。宁波强茂二极管企业

    并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580与第二eml540之间,第二etl554被定位在第二eml540与第二cgl590之间。第二eml540包含蓝色掺杂剂542。蓝色掺杂剂542具有与eml520中的延迟荧光掺杂剂522和磷光掺杂剂524相比更短的发射波长范围。例如,蓝色掺杂剂542可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出,但是第二eml540还可以包含基质。相对于基质,蓝色掺杂剂542的重量百分比可以为约1%至40%,推荐为3%至40%。第三发光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590与第三eml560之间,第三etl574被定位在第三eml560与第二电极512之间。此外,eil576被定位在第三etl574与第二电极512之间。第三eml560包含第二延迟荧光掺杂剂562和第二磷光掺杂剂564。第二延迟荧光掺杂剂562具有发射波长范围,第二磷光掺杂剂564具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如,发射波长范围可以为绿色波长范围,第二发射波长范围可以为红色波长范围。广州整流二极管哪里买乐山、强茂、捷捷微二极管找巨新科。

    附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一;图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图;图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图;图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二;图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图;图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图;图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是,在不矛盾的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统,图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一,如图1所示,该系统包括:发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15;该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值,并发送给该微控制器15;该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。

    所以二pmos管mp2管的源极电压可以随着输入改变,从而将其钳位到步进电压处。本发明提出通过引入负电源电压vne对apd的偏压进行调节,为了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端电压为0v时,四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能开启,四pmos管mp4和五pmos管mp5的栅极电压至少要比各自的源极电压低一个阈值电压vth,而四pmos管mp4和五pmos管mp5的栅极电压分别由二电阻r2和三电阻r3上的压降决定,pmos管的阈值电压vth接近1v,所以负电源电压vne可以设置为-1v。可见本发明通过引入负电源电压vne扩大了apd偏置电压的调节范围。一些实施例中,一运算放大器op1的输出端和一pmos管mp1的栅极之间还设置有一电平位移电路,二运算放大器op2的输出端和三pmos管mp3的栅极之间还设置有二电平位移电路,电平位移电路能够保证二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端电位更好地钳位在步进电压和0v处。为了精简电路,像素外偏置电压产生模块中一运算放大器和二运算放大器可以采用相同的结构,如均采用折叠式共源共栅运放结构或其他类型的运放结构。如图2所示给出了折叠式共源共栅运放结构的实现形式,本实施例以一运算放大器为例进行说明。华强北捷捷微正规代理商。

    所述像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器、二运算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一电阻、二电阻、一电流源和二电流源,一运算放大器的正相输入端连接基准电压,其反相输入端连接二pmos管的源极和一电流源,其输出端连接一pmos管的栅极;一pmos管的源极连接电源电压,其漏极连接二pmos管的栅极并通过一电阻后连接负电源电压;二运算放大器的正相输入端接地,其反相输入端连接四pmos管的源极和二电流源,其输出端连接三pmos管的栅极;三pmos管的源极连接电源电压,其漏极连接四pmos管的栅极并通过二电阻后连接负电源电压;二pmos管和四pmos管的漏极连接负电源电压;所述像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻和五pmos管,所述一电流镜单元用于将流过一pmos管的电流按比例镜像,所述二电流镜单元用于镜像流过三pmos管的电流;五pmos管的栅极连接所述一电流镜单元的输出端和所述二电流镜单元的输出端并通过三电阻后连接负电源电压,其漏极连接负电源电压,其源极输出浮动地电压作为所述雪崩光电二极管的偏置电压。具体的,所述一电流镜单元包括一开关、二开关、三开关、六pmos管、七pmos管和八pmos管。东莞捷捷微二极管代理商公司。温州二极管哪家公司好

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    具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细的描述。本发明提出一种基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路,包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块,如图1所示,像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一电阻r1、二电阻r2、一电流源i1和二电流源i2,一运算放大器op1的正相输入端连接基准电压vref,其反相输入端连接二pmos管mp2的源极和一电流源i1,其输出端连接一pmos管mp1的栅极;一pmos管mp1的源极连接电源电压,其漏极连接二pmos管mp2的栅极并通过一电阻r1后连接负电源电压vne;二运算放大器op2的正相输入端接地,其反相输入端连接四pmos管mp4的源极和二电流源i2,其输出端连接三pmos管mp3的栅极;三pmos管mp3的源极连接电源电压,其漏极连接四pmos管mp4的栅极并通过二电阻r2后连接负电源电压vne;二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏极连接负电源电压vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于产生一运算放大器op1和二运算放大器op2的反相输入端信号,一电流源i1和二电流源i2用于为二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置电流。宁波强茂二极管企业

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