绝缘栅场效应管中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管，英文简称是MOSFET，一般也简称为MOS管。MOSFET的输入电阻很高，高达109Ω以上，从导电沟道来分，可以分为N沟道和P沟道两种，无论是N沟道还是P沟道，又可以分为增强型和耗尽型。N沟道的MOS管通常也简称为NMOS，P沟道的MOS管简称为PMOS。MOS管共有3个脚，栅极G，漏极D，源极S，通常情况下，MOS管的衬底是跟S极在管子内部是连接在一起的，而且，MOS管的D极和S极之间一般会有一个寄生二极管，所以，你见到的MOS管的符号通常是画成下面这样的。场效应管应用于电子开关作用。深圳锂电保护场效应管出厂价
耗尽型与增强型MOS管的区别详解耗尽型与增强型MOS管的区别主要在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGS>VGS（th）（栅极阈值电压）才行。耗尽型与增强型MOS管简述场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。有什么场效应管出厂价场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
场效应管是电压控制元件。而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。
目视可检查出较为严重的氧化，对于氧化后的电子元器件，或弃之不用，或去氧化处理合格后再用。一般处理氧化层采用外力擦、刮；微酸清洗；涂抹助焊剂，然后搪锡使用。（表面贴装元器件因其封装体积小，氧化一般不易处理，通常退回厂家换货或报废处理）元器件是否氧化除目检以外，还有较为复杂详细的可焊性试验检测标准，条件不具备的，可用手工、波峰焊或回流焊方法，对元器件进行批次抽样试焊。电子元器件储存条件及储存期见下表：元器件可焊面的污染在电子产品生产中，元器件要经过来料接收清点、存储、发料、成型和插件（THT工艺）、SMC和SMD的上下料、贴装和手工补焊等工序或操作，难免会产生灰尘、油污及汗渍的污染，造成电子元器件焊面的可焊性下降。在电子装联生产场所，保持洁净的生产环境，穿戴防护用品，严格按操作规程操作，是防止元器件污染的有效措施。元器件引脚变形SMD器件，特别是其中细脚间间距的QFP、SOP封装器件，引脚极易损伤变形，引脚共面性变差，贴装后，部分引脚未紧贴焊盘，造成虚焊，见下图1：预防:对细间距贴装IC，用**工具取放，切记不能用手直接触碰引脚，操作过程中，防止IC跌落，QFP常用盘装，SOP一般为杆式包装。生产过程中切忌弯曲）。绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。
另一部分虚焊焊点往往在一年甚至更长的时间才出现开路的现象，使产品停止工作，造成损失。虚焊有其隐蔽性、故障出现的偶然性以及系统崩溃损失的重大性，不可忽视。研究虚焊的成因，降低其危害，是我国从电子制造大国向电子制造强国发展必须重视的重要课题。导致虚焊的原因大致分为几个方面：1）元器件因素；2）基板（通常为PCB）因素；3）助焊剂、焊料因素；四、工艺参数及其他因素。下面进行详细分析。1元器件因素引起的虚焊及其预防元器件可焊部分的金属镀层厚度不够、氧化、污染、变形都可造成虚焊的结果。可焊部分的金属镀层厚度不够通常元器件可焊面镀有一定厚度的、银白色的、均匀的易焊锡层，如果镀层太薄或者镀层不均匀，以及铜基镀锡或钢基镀铜再镀锡，其铜和锡之间相互接触形成的铜锡界面，两种金属长时间接触就会相互渗透形成合金层扩散，使锡层变薄，导致焊面的可焊性下降。（可焊性指金属表面被熔融焊料润湿的能力）购买长期良好合作的大公司元器件可降低此原因造成的虚焊风险。元器件可焊面氧化电子元器件由于保存时间过长或者保存条件不当，都可以造成电子元器件引脚或焊端表面氧化，从而造成虚焊的产生。氧化后的焊面发灰、发黑。
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场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大。深圳锂电保护场效应管出厂价
取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。焊接用的电烙铁须要不错接地。在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分离。MOS器件各引脚的焊接依次是漏极、源极、栅极。拆机时依次相反。电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机械的各接线端子，再把电路板接上来。MOS场效应晶体管的栅极在容许条件下，接入保护二极管。在检修电路时应留意查明原来的保护二极管是不是损坏。JK9610A型功率场效应管测试仪：是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试设备，可用于标称电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。场效应管测试仪它可以精确测量击穿电压VDSS、栅极打开电压VGS(th)和放大特点参数跨导Gfs，更是是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于使用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件导致任何损坏，更可以在大电流状况下对场效应管开展参数一致性的测试(配对)；仪器全然可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能甚为优于的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA三挡可以选项。深圳锂电保护场效应管出厂价
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