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    cgl280被定位在发光部分250与第二发光部分270之间。即，发光部分250和第二发光部分270通过cgl280连接。cgl280可以为包括n型cgl282和p型cgl284的p-n结型cgl。n型cgl282被定位在etl256与第二htl272之间，p型cgl284被定位在n型cgl282与第二htl272之间。在图5中，与作为阳极的电极220相邻的eml240包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂242和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂244，与作为阴极的第二电极230相邻的第二eml260包含蓝色掺杂剂262。或者，与作为阳极的电极220相邻的eml240可以包含蓝色掺杂剂，与作为阴极的第二电极230相邻的第二eml260可以包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂。在oledd2中，发光部分250中的eml240包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂242和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂244，并且磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5％，推荐等于或小于约％。因此，由发光部分250提供红色波长范围的光和绿色波长范围的光。因此，包括发光部分250和包含蓝色掺杂剂262的第二发光部分270的oledd2发射白光。图6是根据本公开内容的显示装置的示意性截面图。图6的显示装置包括图5的根据第二实施方案的oled。如图6所示。原装捷捷微二极管采购。武汉整流二极管专卖店

    2.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂具有比较大发射波长，以及所述磷光掺杂剂具有比所述比较大发射波长更长的第二比较大发射波长。3.根据实施方案2所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。4.根据实施方案3所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。5.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂由式1表示：[式1]其中r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，以及其中m为2至5的整数，n为1至3的整数，以及m+n小于或等于6。6.根据实施方案5所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂选自式2：[式2]7.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂由式3表示：[式3]其中r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。无锡快恢复二极管哪家公司好乐山二极管一级代理商。

    其漏极连接十一pmos管、十三pmos管、十五pmos管和十七pmos管的栅极以及四电阻的一端；七nmos管的漏极连接五nmos管的源极，其源极连接八nmos管、三nmos管和四nmos管的源极并接地；十pmos管的栅极连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的栅极、十一pmos管的漏极和四电阻的另一端，其源极连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的源极并连接电源电压，其漏极连接十一pmos管的源极；十二pmos管的漏极连接十三pmos管的源极，十四pmos管的漏极连接十五pmos管的源极，十六pmos管的漏极连接十七pmos管的源极；十八pmos管的栅极作为所述一运算放大器的正相输入端，其源极连接十九pmos管的源极和十三pmos管的漏极，其漏极连接一nmos管的源极和三nmos管的漏极；十九pmos管的栅极作为所述一运算放大器的反相输入端，其漏极连接二nmos管的源极和四nmos管的漏极；三nmos管的栅极连接四nmos管的栅极以及十五pmos管和一nmos管的漏极；二nmos管的栅极连接一nmos管的栅极以及一偏置电压，其漏极连接十七pmos管的漏极并作为所述一运算放大器的输出端。本发明的有益效果为：本发明提出的雪崩光电二极管偏压调节电路利用运放在像素外构建偏置电压产生电路。

    本发明属于集成电路领域与光电领域，涉及一种基于负电源电压对雪崩光电二极管的偏置电压进行调节的电路。背景技术：单光子探测技术是近年来刚刚发展起来的一种基于单光子的新式探测技术，它可以实现对极微弱光信号的检测。在目前所用的光电探测器中，具有单光子探测能力的探测器主要有两种，即光电倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光电二极管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光电二极管apd(以下简称apd)在红外波段具有功耗低、体积小、工作频谱范围大、工作电压低等优点，因此被广泛应用。雪崩光电二极管apd探测器根据其偏置电压的不同，可分为线性和盖革两种工作模式。工作在盖革模式下的雪崩光电二极管apd被称为单光子雪崩二极管，具有单光子探测能力，被广泛应用于单光子探测技术。单光子探测技术可被用于光子测距、**、荧光寿命测量等各方面。随着对探测器分辨率要求的提高，单光子探测技术正在向集成大阵列方向发展，阵列探测的一致性成为重要指标。apd阵列的灵敏度与偏压相关，但是由于apd阵列存在雪崩击穿电压不均匀分布的问题，因此比较高偏压被阵列中比较低击穿电压的像素所限制，apd阵列中将有大量像素处在偏压不足的状态。深圳捷捷微二极管代理商公司。

    可以将流过一pmos管mp1的电流按1-7倍的比例进行复制，如当只有一开关s1闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:1的比例进行复制，当一开关s1和二开关s2同时闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:3的比例进行复制，当一开关s1、二开关s2和三开关s3都闭合时一电流镜单元能够将流过一pmos管mp1的电流按1:7的比例进行复制。按照相同的原理可以设置多种开关组合实现想要的比例。二电流镜单元用于镜像流过三pmos管mp3的电流，如图1所示给出二电流镜单元的一种实现形式，包括九pmos管mp9，九pmos管mp9的栅极连接三pmos管mp3的栅极，其源极连接电源电压，其漏极连接二电流镜单元的输出端。像素内偏压调节模块中三电阻r3和五pmos管mp5分别与像素外偏置电压产生模块中的一电阻r1和二pmos管mp2、二电阻r2和四pmos管mp4钳位对称，再利用一电流镜单元和二电流镜单元镜像的电流，可以控制五pmos管mp5的源极处产生的浮动地电压大小。本实施例中一pmos管mp1栅极引出一电流镜单元偏置电压为一电流镜单元的六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8供电，比例电流镜结构按不同比例镜像一pmos管mp1的电流使得像素内的五pmos管mp5的源极电压达到步进电压的整数倍大小。强茂大功率二极管原装现货。温州贴片二极管销售

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    所述像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器、二运算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一电阻、二电阻、一电流源和二电流源，一运算放大器的正相输入端连接基准电压，其反相输入端连接二pmos管的源极和一电流源，其输出端连接一pmos管的栅极；一pmos管的源极连接电源电压，其漏极连接二pmos管的栅极并通过一电阻后连接负电源电压；二运算放大器的正相输入端接地，其反相输入端连接四pmos管的源极和二电流源，其输出端连接三pmos管的栅极；三pmos管的源极连接电源电压，其漏极连接四pmos管的栅极并通过二电阻后连接负电源电压；二pmos管和四pmos管的漏极连接负电源电压；所述像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻和五pmos管，所述一电流镜单元用于将流过一pmos管的电流按比例镜像，所述二电流镜单元用于镜像流过三pmos管的电流；五pmos管的栅极连接所述一电流镜单元的输出端和所述二电流镜单元的输出端并通过三电阻后连接负电源电压，其漏极连接负电源电压，其源极输出浮动地电压作为所述雪崩光电二极管的偏置电压。具体的，所述一电流镜单元包括一开关、二开关、三开关、六pmos管、七pmos管和八pmos管。武汉整流二极管专卖店

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