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    所述像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器、二运算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一电阻、二电阻、一电流源和二电流源，一运算放大器的正相输入端连接基准电压，其反相输入端连接二pmos管的源极和一电流源，其输出端连接一pmos管的栅极；一pmos管的源极连接电源电压，其漏极连接二pmos管的栅极并通过一电阻后连接负电源电压；二运算放大器的正相输入端接地，其反相输入端连接四pmos管的源极和二电流源，其输出端连接三pmos管的栅极；三pmos管的源极连接电源电压，其漏极连接四pmos管的栅极并通过二电阻后连接负电源电压；二pmos管和四pmos管的漏极连接负电源电压；所述像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻和五pmos管，所述一电流镜单元用于将流过一pmos管的电流按比例镜像，所述二电流镜单元用于镜像流过三pmos管的电流；五pmos管的栅极连接所述一电流镜单元的输出端和所述二电流镜单元的输出端并通过三电阻后连接负电源电压，其漏极连接负电源电压，其源极输出浮动地电压作为所述雪崩光电二极管的偏置电压。具体的，所述一电流镜单元包括一开关、二开关、三开关、六pmos管、七pmos管和八pmos管。强茂二极管原厂渠道。武汉整流二极管质量好的

    第二延迟荧光掺杂剂562可以由式1或式3表示，第二磷光掺杂剂564可以由式5表示。第二磷光掺杂剂564相对于第二延迟荧光掺杂剂562的重量百分比等于或小于约5％。例如，第二磷光掺杂剂564相对于第二延迟荧光掺杂剂562的重量百分比可以在约％至％，推荐地约％至％的范围内。尽管未示出，但是第三eml560还可以包含基质。基质可以在第三eml560中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基质和第三eml560的基质可以相同或不同。cgl580被定位在发光部分530与第二发光部分550之间，第二cgl590被定位在第二发光部分550与第三发光部分570之间。即，发光部分530和第二发光部分550通过cgl580彼此连接，第二发光部分550和第三发光部分570通过第二cgl590彼此连接。cgl580和第二cgl590各自可以为p-n结型cgl。cgl580包括n型cgl582和p型cgl584，第二cgl590包括n型cgl592和p型cgl594。在cgl580中，n型cgl582被定位在etl536与第二htl552之间，p型cgl584被定位在n型cgl582与第二htl552之间。在第二cgl590中，n型cgl592被定位在第二etl554与第三htl572之间，p型cgl594被定位在n型cgl592与第三htl572之间。在oledd4中。北京快恢复二极管稳压乐山肖特基二极管原装现货。

    并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580与第二eml540之间，第二etl554被定位在第二eml540与第二cgl590之间。第二eml540包含蓝色掺杂剂542。蓝色掺杂剂542具有与eml520中的延迟荧光掺杂剂522和磷光掺杂剂524相比更短的发射波长范围。例如，蓝色掺杂剂542可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是第二eml540还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂542的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。第三发光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590与第三eml560之间，第三etl574被定位在第三eml560与第二电极512之间。此外，eil576被定位在第三etl574与第二电极512之间。第三eml560包含第二延迟荧光掺杂剂562和第二磷光掺杂剂564。第二延迟荧光掺杂剂562具有发射波长范围，第二磷光掺杂剂564具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，第二发射波长范围可以为红色波长范围。

    良好校准数据表为所述发光二极管的初始温度值和所述初始电压值统计表；获取发光二极管的电流值，依据所述第二压差值和所述电流值，调用预存储的第二校准数据表进行第二对比，第二校准数据表为所述发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表，在所述第二对比的结果不符合预设阈值的情况下，发送报警信息。在其中一个实施例中，所述获取发光二极管电流值包括：获取脉冲调制pwm信号，依据所述pwm信号和预设的最大电流值，确定所述电流值。在其中一个实施例中，所述获取发光二极管的良好压差值包括：通过运算差分电路接入所述发光二极管的两端，获取所述发光二极管的良好压差值。在其中一个实施例中，所述获取发光二极管温度值包括：获取所述发光二极管周围的热敏电阻ntc的阻值，依据温度阻值曲线图获取所述热敏电阻ntc的第二温度值，依据所述热敏电阻ntc的第二温度值确定所述发光二极管的所述良好温度值。根据本发明的另一个方面，还提供了一种发光二极管的控制系统，所述系统包括：发光二极管、驱动板、电压采集电路、温度采集电路和微控制器；所述温度采集电路获取所述发光二极管良好温度值，并发送给所述微控制器；所述电压采集电路获取所述发光二极管的良好压差值。乐山稳压二极管原装现货。

    所以二pmos管mp2管的源极电压可以随着输入改变，从而将其钳位到步进电压处。本发明提出通过引入负电源电压vne对apd的偏压进行调节，为了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端电压为0v时，四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能开启，四pmos管mp4和五pmos管mp5的栅极电压至少要比各自的源极电压低一个阈值电压vth，而四pmos管mp4和五pmos管mp5的栅极电压分别由二电阻r2和三电阻r3上的压降决定，pmos管的阈值电压vth接近1v，所以负电源电压vne可以设置为-1v。可见本发明通过引入负电源电压vne扩大了apd偏置电压的调节范围。一些实施例中，一运算放大器op1的输出端和一pmos管mp1的栅极之间还设置有一电平位移电路，二运算放大器op2的输出端和三pmos管mp3的栅极之间还设置有二电平位移电路，电平位移电路能够保证二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端电位更好地钳位在步进电压和0v处。为了精简电路，像素外偏置电压产生模块中一运算放大器和二运算放大器可以采用相同的结构，如均采用折叠式共源共栅运放结构或其他类型的运放结构。如图2所示给出了折叠式共源共栅运放结构的实现形式，本实施例以一运算放大器为例进行说明。广东乐山二极管代理商公司。宁波快恢复二极管哪家公司好

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    利用运放将四pmos管mp4的源极电压和二pmos管mp2的源极电压分别钳位至0v和步进电压，利用一pmos管mp1和三pmos管mp3产生像素内的偏置电流；在像素内利用电流镜单元镜像一pmos管mp1和三pmos管mp3产生的偏置电流，一电流镜单元通过数字开关控制像素内的比例电流镜镜像偏置电流的比例，从而实现雪崩光电二极管apd偏置电压的步进调节；通过引入负电源电压，扩大了apd偏置电压的调节范围，有利于提高apd阵列的均匀性和电压稳定性，提升光子探测的灵敏度；提出以pmos源极，而不是ldo电路中的漏极产生步进电压，具有面积小、响应速度快，电压准确度高等优点；像素外的运放采用折叠式共源共栅运放结构时，选择pmos管作为输入对管用于增大共模输入范围，另外将p输入对管的衬底接到比较高电位，能够使得输入对管的阈值电压因衬底偏置效应而增大。附图说明图1为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路的一种电路实现结构框图。图2为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路中一运算放大器在实施例中采用折叠式共源共栅运放的电路原理图。图3为本发明提出的基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路在不同配置的情况下apd接口电压的仿真波形示意图。武汉整流二极管质量好的

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