福建晶振的电容

移动终端：预计2022年国内手机厂商对晶振需求量达35.2亿颗5G带动新一波换机需求。IDC预测，2019年全球手机出货量为13.7亿部（2019年出货预计同比减少2.2%），而国内手机市场占据约30%的份额。根据中国信通院数据显示，2019年国内手机市场总体出货量为3.89亿部，同比下降6.2%。虽然目前国内手机行业已呈现饱和状态，但2020年5G商用将带动新一波换机需求，国内智能手机市场有望回暖。个手机配置的晶振数量及价值不断提升。（1）按键手机中石英晶振需2-3 颗，分别为32.768KHZ 圆柱直插晶振、49S晶振和一款5032（5.0*3.2mm）贴片晶振；（2）4G智能手机则需配置约5-6颗晶振，分别为时间显示所用的为32.768KHz晶振,蓝牙模块上16MHz贴片晶振，数据传输所用的高频圆柱直插晶振，NFC模块中使用的13.56MHz贴片晶振，以及根据手机CPU运行温度进行变更频率的26MHz 温补晶振等；（4）5G手机预计要配置6-10颗晶振，优先方案为频率为76.8MHz或者96MHz、负载电容为8-12pf的小尺寸2.0*1.6mm晶振。单个手机配置的晶振价值量不断提升。高基频晶振价格较普通晶振大幅增长，有望迎来量价齐升。福建晶振的电容

AT切型晶振缺陷：传统机械加工难以满足严格的公差要求。AT切割是目前使用量较大的石英晶体类型之一，常用于高频晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm，加工难度大幅增加。大规模生产小型晶体时，需要将公差控制在2um以内，而传统机械加工难以满足严格的公差要求。超高频晶振缺陷：多次倍频导致相噪损失严重。晶振工作频率通常与晶片厚度成反比，传统机械加工适合的频率范围为1-40MHz（对应晶片厚度0.04mm）。以传统方式生产百MHz晶振需要将晶片加工至超薄，从而导致出现稳定性差及易破损的缺点。因此，生产百兆赫兹高频晶振通常采用10MHz成熟产品作为基准频率源，并经过多次倍频获得所需信号。但这样导致电路复杂，相噪损失严重。陕西晶振的英文5G领域对晶振的需求。

设计考虑事项：1、使晶振、外部电容器(如果有)与IC之间的信号线尽可能保持短。当非常低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对EMC、ESD与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。2、尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。3、当心晶振和地的走线4、将晶振外壳接地如果实际的负载电容配置不当，会引起线路参考频率的误差。另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降(不在峰点)，影响混频信号的信号强度与信噪。当波形出现削峰，畸变时，可增加负载电阻调整(几十K到几百K).要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻。

下游应用驱动，晶振市场回暖物联网经过多年的酝酿，随着5G技术商业化的临近，物联网产品的大规模应用也近在眼前。有市场便会有需求，随着物联网范围的不断扩大，伴随着物联网而生的NB-IoT技术自然受到众厂商的瞩目，更何况该技术还准备，预防可能出现的风险。1.全球石英晶振需求量逐年上升目前，我国电子信息产业的国际地位不断稳固和提高。《中国电子信息产业统计年鉴》数据显示，2018年我国电子信息行业销售收入为169027亿元，其中电子制造业收入规模达到105966亿元，出口金额为58931亿元，进口金额为41898亿元，市场规模（收入+进口-出口）为88933亿元。尽管2018年全球贸易局势错综复杂，消费电子市场疲软不振，但我国电子信息制造业通过结构调整和转型升级，走高质量发展之路，全国规模以上电子信息制造业主营业务收入仍逆势增长9.0%。TCXO 及TSX订单增长，国产替代空间巨大。

计算机的计时器通常是一个精密加工过的石英晶体，石英晶体在其张力限度内以一定的频率振荡，这种频率取决于晶体本身如何切割及其受到张力的大小。有两个寄存器与每个石英晶体相关联，一个计数器和一个保持寄存器。石英晶体的每次振荡使计数器减1。当计数器减为0时，产生一个中断，计数器从保持寄存器中重新装入初始值。这种方法使得对一个计时器进行编程，令其每秒产生60次中断（或者以任何其它希望的频率产生中断）成为可能。每次中断称为一个时钟嘀嗒。晶振在电气上可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振，较高的频率为并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。是什么决定晶振的频率。陕西晶振的英文

国产企业突破光刻技术，推进晶振产品向小型化、高精度趋势发展。福建晶振的电容

电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。晶体的Q值非常高，Q值是什么意思呢?晶体的串联等效阻抗是Ze=Re+jXe，Re<<|jXe|，晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百K。串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看ICspec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策可是转化为并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值----->增大了Re----->降低了Q福建晶振的电容

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