特点：1、芯片与底板电气绝缘2、国际标准封装3、全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力4、350A以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块既可选用风冷，也可选用水冷5、安装简单，使用维修方便典型应用：1、交直流电机控制2、各种整流电源3、工业加热控制4、调光5、无触点开关6、电机软起动7、静止无功补偿8、电焊机9、变频器10、UPS电源11、电池充放电三相整流桥模块功率半导体模块可控硅博飞宏大北京博飞宏大电子科技有限公司，厂家直销，质量，价格有保证！如果您需要相关型号资料，电压电流，封装尺寸大小，可以随时给您发送该产品的PDF文档，供您参考！如果您订购量大，并且有长期合作意向，可**先给您发样品！三天内发货！如果产品装机配型不适用，可退换货！博飞宏大，给您满意贴心的服务，是我们一贯的宗旨！公司主页：欢迎您到厂参观！北京博飞宏大电子科技有限公司，有10多年功率半导体元器件制造经验，是专业从事功率半导体器件的研发、封装、测试、销售、技术服务为一体的****，多年来一直从事冶金自动化和铁路电气化领域的国产化工作。我公司的电力半导体器件有：全系列功率模块(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。正高电气公司依托便利的区位和人才优势。枣庄大功率晶闸管模块价格
额定电压V1mA的下限是线路工作电压峰值，考虑到电网电压的波动以及多次承受冲击电流以后V1mA值可能下降，因此，额定电压的取值应适当提高。目前通常采用30[%]的余量计算。V1mA≥√2・U式中U――压敏电阻两端正常工作电压的有效值。压敏电阻的数量：三相整流模块和三相交流模块均为三只、单相整流模块和单相交流模块均为一只。全部接在交流输入端。3、过热保护晶闸管在电流通过时，会产生一定的压降，而压降的存在则会产生一定的功耗，电流越大则功耗越大，产生的热量也就越大。如果不把这些热量快速散掉，会造成烧坏晶闸管芯片的问题。因此要求使用晶闸管模块时，一定要安装散热器。散热条件的好坏，是影响模块能否安全工作的重要因素。良好的散热条件不但能够保证模块可靠工作、防止模块过热烧毁，而且能够提高模块的电流输出能力。建议用户在使用大电流规格模块的时候尽量选择带过热保护作用的模块。当然，即便模块带过热保护作用，而散热器和风机也是不可缺少的。在使用中，当散热条件不符合规定要求时，如室温超过40℃、强迫风冷的出口风速不足6m/s等，则模块的额定电流应立即降低使用，否则模块会由于芯片结温超过允许值而损坏。譬如。行吊可控硅集成调压模块厂家正高电气我们完善的售后服务，让客户买的放心，用的安心。
由于晶闸管在导通期间，载流子充满元件内部，所以元件在关断过程中，正向电压下降到零时，内部仍残存着载流子。这些积蓄的载流子在反向电压作用下瞬时出现较大的反向电流，使积蓄载流子迅速消失，这时反向电流消失的极快，即di/dt极大。因此即使和元件串连的线路电感L很小，电感产生的感应电势L（di/dt）值仍很大，这个电势和电源电压串联，反向加在已恢复阻断的元件上，可能导致晶闸管的反向击穿。这种由于晶闸管关断引起的过电压，称为关断过电压，其数值可达工作电压峰值的5～6倍，所以必须采取措施。阻容吸收电路中电容器把过电压的电磁能量变成静电能量存贮，电阻防止电容和电感产生谐振、限制晶闸管开通损耗和电流上升率。这种吸收回路能晶闸管由导通到截止时产生的过电压，有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收电路安装位置要尽量靠近模块主端子，即引线要短。比较好采用无感电阻，以取得较好的保护效果。各型号模块对应的电阻和电容值根据表10选取。（2）压敏电阻吸收过电压压敏电阻能够吸收由于雷击等原因产生能量较大、持续时间较长的过电压。压敏电阻标称电压（V1mA），是指压敏电阻流过1mA电流时它两端的电压。压敏电阻的选择，主要考虑额定电压和通流容量。
3）换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的，所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后，出现换相振荡过电压，它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压，其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高，换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因，可以采取不同的方法，如减少过电压源，并使过电压幅值衰减；过电压能量上升的速率，延缓已产生能量的消散速度，增加其消散的途径；采用电子线路进行保护等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称之为吸收回路或缓冲电路。（4）阻容吸收回路通常过电压均具有较高的频率，因此常用电容作为吸收元件，为防止振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧，或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路比较好选用无感电容，接线应尽量短。。5）由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，过电压的效果较差。因此，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。正高电气以诚信为根本，以质量服务求生存。
硒堆的特点是其动作电压和温度有关，温度越低耐压越高；另外是硒堆具有自恢复特性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖，又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶，结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于100μA。当加上电压时，引起了电子雪崩，粒界层迅速变成低阻抗，电流迅速增加，泄漏了能量，了过电压，从而使晶闸管得到保护。浪涌过后，粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。标称电压：指压敏电阻流过1mA直流电流时，其两端的电压值。通流容量：是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形冲击电流，每隔5分钟冲击1次，共冲击10次，标称电压变化在-10[[[%]]]以内的比较大冲击电流值来表示。因为正常的压敏电阻粒界层只有一定大小的放电容量和放电次数，标称电压值不仅会随着放电次数增多而下降，而且也随着放电电流幅值的增大而下降，当大到某一电流时，标称电压下降到0，压敏电阻出现穿孔，甚至炸裂；因此必须限定通流容量。正高电气材料竭诚为您服务，期待与您的合作！枣庄大功率晶闸管模块价格
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晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间比较大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的比较大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。。枣庄大功率晶闸管模块价格
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