背景技术:在相关技术中,带影像功能的医疗器械主要包括前端图像采集装置,后端主机和冷光源。其中前端图像采集装置和后端主机主要负责图像的采集与传输,冷光源负责提供合格的光源,图像的好坏与冷光源的工作状态有直接的关联,冷光源的中心部件就是led灯。市场上的led产品寿命通常标称30000-60000小时,但是在使用一定时间后,led灯会出现光衰,色偏等不良变化。光衰导致亮度降低,色偏导致色温偏移,进而影响显色性,这在医用光源里是不可接受的。并且每个led灯都有细微的差别,依靠厂家的测试报告来推导工作寿命是不可取的,这就需要实时预警led的寿命针对相关技术中,单个led灯的使用寿命无法准确预测的问题,目前尚未提出有效的解决方案。技术实现要素:针对相关技术中,单个led灯的使用寿命无法准确预测的问题,本发明提供了发光二极管的控制方法、系统、医疗设备和存储介质,以至少解决上述问题。根据本发明的一个方面,提供了一种发光二极管的控制方法,所述方法包括:获取发光二极管良好温度值和良好压差值,依据所述良好温度值和所述良好压差值,调用预存储的良好校准数据表进行良好对比,依据所述良好对比的结果对所述良好压差值进行校准后,获取第二压差值。广东捷捷微二极管代理商公司。宁波激光二极管
以通过控制流到三电阻r3上的电流大小来控制像素内五pmos管mp5的栅极电压的大小,进而控制浮动地点的电压大小,从而保证实现浮动地处电压的步进调节。本实施例中当一开关s1、二开关s2和三开关s3至少有一个闭合时,通过一电流镜单元镜像按不同比例镜像的电流将浮动地电位调节为步进电压的不同倍数,本实施例将步进电压即一运算放大器op1正相输入端的基准电压vref设置为,将比例电流镜中三个pmos管的宽长比设置为1:2:4,因此能将浮动地电位从0v~7倍步进电压即0v、、1v、、2v、、3v、。当运放的正相输入端输入电压为0v时,若二pmos管mp2管的漏端接地,则源漏电压为0v,二pmos管mp2管只能工作在截止区或线性区,无法将其源端电压钳位到0v。因此,将二pmos管mp2管的漏端与负电源电压vne相连接,因为二pmos管mp2管的栅极电压由一电阻r1上的压降决定,则二pmos管mp2管栅极电压可为负,而二pmos管mp2管的栅源电压可低至为pmos的阈值电压,所以通过调节二pmos管mp2管的尺寸,二pmos管mp2管的源极电压可以很容易的被钳位至0v。同理,当运放的正相输入端输入电压为步进电压时,流过电阻上的偏置电流发生变化,从而使得二pmos管mp2管的栅极电压改变,又因为其源漏电流不变。南京品牌二极管进口华南捷捷微二极管代理商公司。
第二蓝色掺杂剂462可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。蓝色掺杂剂422和第二蓝色掺杂剂462可以相同或不同。尽管未示出,但是第三eml460还可以包含基质。相对于基质,第二蓝色掺杂剂462的重量百分比可以为约1%至40%,推荐为3%至40%。cgl480被定位在发光部分430与第二发光部分450之间,第二cgl490被定位在第二发光部分450与第三发光部分470之间。即,发光部分430和第二发光部分450通过cgl480彼此连接,第二发光部分450和第三发光部分470通过第二cgl490彼此连接。cgl480和第二cgl490各自可以为p-n结型cgl。cgl480包括n型cgl482和p型cgl484,第二cgl490包括n型cgl492和p型cgl494。在cgl480中,n型cgl482被定位在etl436与第二htl452之间,p型cgl484被定位在n型cgl482与第二htl452之间。在第二cgl490中,n型cgl492被定位在第二etl454与第三htl472之间,p型cgl494被定位在n型cgl492与第三htl472之间。在oledd3中,第二发光部分450中的第二eml440包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂442和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂444,并且磷光掺杂剂444相对于延迟荧光掺杂剂442的重量百分比等于或小于约5%,推荐等于或小于约%。因此。
该微控制器15获取该发光二极管11周围的该热敏电路ntc电路的热敏电阻ntc的阻值,依据温度阻值曲线图(厂家提供的温度-阻值曲线图)获取该热敏电阻ntc的第二温度值,依据该热敏电阻ntc的第二温度值确定该发光二极管11的该良好温度值,该ntc离发光二极管距离比较近的情况下,该第二温度值可以确定为该发光二极管11的良好温度值。在本发明的一个实施例中,提供了一种发光二极管11的控制方法,图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图,如图7所示,该方法包括如下步骤:步骤s702,获取发光二极管良好温度值和良好压差值,依据该良好温度值和该良好压差值,调用预存储的良好校准数据表进行良好对比,依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后,获取第二压差值,良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表;步骤s704,获取发光二极管的电流值,依据该第二压差值和该电流值,调用预存储的第二校准数据表进行第二对比,第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表,在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下,发送报警信息。通过上述步骤s702至s704,发光二极管11出厂工作后,微控制器15自主控制该发光二极管11的电流。强茂二极管一级代理商。
栅极绝缘层324可以被图案化成具有与栅极电极330相同的形状。在栅极电极330上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层332。层间绝缘层332可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。层间绝缘层332包括暴露半导体层322的两侧的接触孔334和第二接触孔336。接触孔334和第二接触孔336被定位在栅极电极330的两侧以与栅极电极330间隔开。接触孔334和第二接触孔336形成为穿过栅极绝缘层324。或者,当栅极绝缘层324被图案化成具有与栅极电极330相同的形状时,接触孔334和第二接触孔336形成为只穿过层间绝缘层332。在层间绝缘层332上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极340和漏电极342。源电极340和漏电极342相对于栅极电极330彼此间隔开,并且分别通过接触孔334和第二接触孔336接触半导体层322的两侧。半导体层322、栅极电极330、源电极340和漏电极342构成tfttr。tfttr用作驱动元件。在tfttr中,栅极电极330、源电极340和漏电极342被定位在半导体层322上方。即,tfttr具有共面结构。或者,在tfttr中,栅极电极可以被定位在半导体层下方,并且源电极和漏电极可以被定位在半导体层上方,使得tfttr可以具有倒置交错结构。乐山、强茂、捷捷微二极管找巨新科。广州发光二极管哪里买
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并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580与第二eml540之间,第二etl554被定位在第二eml540与第二cgl590之间。第二eml540包含蓝色掺杂剂542。蓝色掺杂剂542具有与eml520中的延迟荧光掺杂剂522和磷光掺杂剂524相比更短的发射波长范围。例如,蓝色掺杂剂542可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出,但是第二eml540还可以包含基质。相对于基质,蓝色掺杂剂542的重量百分比可以为约1%至40%,推荐为3%至40%。第三发光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590与第三eml560之间,第三etl574被定位在第三eml560与第二电极512之间。此外,eil576被定位在第三etl574与第二电极512之间。第三eml560包含第二延迟荧光掺杂剂562和第二磷光掺杂剂564。第二延迟荧光掺杂剂562具有发射波长范围,第二磷光掺杂剂564具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如,发射波长范围可以为绿色波长范围,第二发射波长范围可以为红色波长范围。宁波激光二极管
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