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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。特殊裸板电源诚信经营裸板型和U外壳型AC/DC电源的安装。

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进行非同步整流控制。在步骤st2中，在检测电流iout大于电流阈值ith的情况下(在步骤st2中为“否”的情况下)，返回步骤st1，反复进行检测，直到检测电流iout成为电流阈值ith以下。另外，此时，开关元件q1～q6基于通常占空比d被反馈控制，并且被同步整流控制。在图5的(a)所示的比较例中，在检测电流iout为电流阈值ith以下且从同步整流控制切换为非同步整流控制时(图5的时刻t1)，会发生输出电压的变动。与此相对，根据上述***实施方式中的开关电源装置1，如图5的(b)所示，通过从用于反馈控制的通常占空比d替换成切换用占空比d′来进行中断控制，能够***在时刻t1的输出电压的变动。因此，所连接的各元件、负载等的耐久性提高，能够稳定地向负载供给电力。〔第二实施方式〕接下来，对其他实施方式进行说明。需要说明的是，对与***实施方式相同的构成要素，标记相同的符号并适当地省略说明。图6是表示第二实施方式中的控制部的框图。图7是表示第二实施方式中的开关电源装置的动作例的流程图。图8的(a)是表示比较例中的从同步整流控制向非同步整流控制切换的图，图8的(b)是表示第二实施方式中的从同步整流控制向非同步整流控制切换的图。裸板电源的价格咨询上海衡孚电子科技有限公司。新疆裸板电源报价表

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所述反馈控制器14包括：连接开关31，连接误差信号vea和隔离反馈信号fbi；接地开关32，对隔离反馈信号fbi进行复位；其中：当第二控制信号gsr2控制副边开关电路101断开后经过死区时间，连接开关31被断开、接地开关32被导通，并持续设定时长tlow，使得隔离反馈信号fbi在该设定时长tlow内被拉至地(复位)；在设定时长tlow之外的时间，连接开关31保持导通，接地开关32保持断开，使得隔离反馈信号fbi经过设定时长tlow后重新与误差信号vea连接。该控制可以通过逻辑处理器33实现。所述逻辑处理器响应第二控制信号gsr2的下降沿，产生具有设定时长tlow的脉冲信号，用以控制连接开关31和接地开关32。在一个实施例中，所述逻辑处理器33可以包括例如单稳态电路，产生具有设定时长的脉冲信号。隔离反馈单元op将隔离反馈信号fbi的变化传递至其输出端，并反映在反馈输出信号fbo上。在图15所实施例中，所述原边电路u2具有控制电路。具体来说，所述原边电路u2包括：峰值检波电路22，检测反馈输出信号fbo的峰值，产生补偿信号vc，用以控制原边功率开关q1的断开；边沿跳变检测器21，检测反馈输出信号fbo的边沿跳变，产生边沿检测信号，用以控制原边功率开关q1的导通。上海制造裸板电源

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