瓷片电容分类:
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。按瓷介电容电介质又分:1.类电介质(NP0,C0G);2.类电介质(X7R,2X1);3.类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIARS-198。 钽铌电解电容器体积小、容量大、性能稳定、寿命长绝缘电阻大。深圳直销瓷片电容性价比高
瓷片电容的特点:耐磨直流高压运用:高压旁路和耦合电路使用范围:LED驱动电源,小家电控制板,新能源充电器,开关电源,电视接收机,扫描等电路。产品通过:CQC/KC/UL/VED/ENEC等认证。测试条件:频率与电压:1kHz1.0v测试温度:25℃±2℃静电容量:1000PF静电容量误差:±20%温度特性:Y5V工作电流:《5mA工作温度:-40℃±85℃频率与电压:1kHz1.0v测试温度:25℃±2℃静电容量:1000PF静电容量误差:±20%温度特性:Y5V工作电流:《5mA工作温度:-40℃±85℃广东销售瓷片电容品牌企业字母表示法:2m=2000μF,1P2=1.2PF,2n=2000PF;
瓷片电容在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
去藕又称解藕。从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是所谓的“耦合”。去藕电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF等;而去耦合电容的容量一般较大,可能是10μF或者更大,依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
独石(Monolithic)电容由于多层陶瓷需要烧结瓷化,形成一体化结构,所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容。多层陶瓷电容,也就是MLCC,片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量比较大的电容类型,其标准化封装,尺寸小,适用于自动化高密度贴片生产。独石电容是多层陶瓷电容器的别称,英文名称monolithicceramiccapacitor或multi-layerceramiccapacitor,简称MLCC,根据所使用的材料,可分为三类。一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能较为稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。深圳通用瓷片电容上门服务
换上合格的电容器后,应在额定电压下试通电三次,若无故障再试运24小时,在试运期间应加强巡视和检查。深圳直销瓷片电容性价比高
瓷片电容相对正式的称谓是圆片瓷介电容器,是用陶瓷粉模压成型,然后烧结而成。(陶瓷又分I类瓷,II类瓷,III类瓷)单片瓷,单层结构,一般纽扣大小,带两根引脚。正因为单层结构,瓷片电容器,一般容量不大,但电压高。陶瓷电容:用高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡一氧化钛)挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。独石电容和瓷片电容都属于陶瓷电容,陶瓷电容是总称。二、结构独石电容是多层陶瓷电容的别称,独石电容是由多层介质和多对电极构成的,而瓷片电容一般是由一层介质和一对电极构成的,瓷片电容分为高频瓷介和低频瓷介两种。三、外观独石电容其实是陶瓷贴片电容焊引线后烧结而成,一般是方形,而瓷片电容是片状,大多是圆片形状。四、容量和耐压同体积下,独石电容的电容量远远大于瓷片电容的电容量,而瓷片电容的耐压高于独石电容的耐压。深圳直销瓷片电容性价比高
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