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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。西藏制造裸板电源裸板电源安装要加绝缘片！

产生第二控制信号gsr2；所述副边开关电路101响应于第二副边信号产生器12产生的第二控制信号gsr2，被再一次导通。在一个实施例中，当副边开关电路101两端电压vdsr低于设定阈值(如第三阈值)时，第二副边信号产生器12被触发，产生第二控制信号gsr2，控制副边开关电路101再次导通一段时间。在另一个实施例中，当当前开关频率(开关周期)达到参考开关频率(参考开关周期)时，第二副边产生器12被触发，产生第二控制信号gsr2，控制副边开关电路再次导通一段时间。所述参考开关周期(参考开关频率)可由系统设定，也可以与输出电压vo相关。图5示出了根据本发明实施例的开关电源电路500的电路结构示意图。图5所示开关电源电路500与图4所示开关电源电路400的电路结构相似，与图4所示开关电源电路400不同的是，所述开关电源电路500示出了对原边功率开关q1的控制。具体来说，在图5所示实施例中，所述开关电源电路500还包括：反馈控制器14，根据输出电压vo(如表征输出电压的误差信号vea)，产生隔离反馈信号fbi；隔离反馈单元op，根据隔离反馈信号fbi，产生反馈输出信号fbo；原边电路u2，根据反馈输出信号fbo，产生开关控制信号gq1，用以控制原边功率开关q1的导通与断开。在图5所示实施例中。

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从直流高电压向直流低电压的转换完成。接着，使用图3的流程图说明控制部10的动作。在步骤st1中，电流检测部6检测流过开关电源装置1的检测电流iout，并输出到控制部10。此时，开关电路7及整流电路8基于通常占空比d被反馈控制，被同步整流控制。在步骤st2中，同步整流控制部10d判断检测电流iout是否为电流阈值ith以下。在步骤st2中，在检测电流iout为电流阈值ith以下的情况下(步骤st2中为“是”的情况下)，进入步骤st3，同步整流控制部10d向二次侧脉冲生成部11b以及控制量调整部10c输出切换信号。接收到切换信号的二次侧脉冲生成部11b从同步整流控制切换为中断控制，使开关元件q5、q6成为断开状态。另外，接收到切换信号的控制量调整部10c基于式(1)、(2)决定切换用占空比d′，并向反馈控制部10b输出切换用占空比d′。在步骤st4中，接收到切换用占空比d′的反馈控制部10b向脉冲生成部11进行输出，以从基于通常占空比d的反馈控制替换成切换用占空比d′进行中断控制。此时，开关元件q5、q6不基于切换用占空比d′被控制而成为断开状态。在步骤st5中，当从同步整流控制部10d接收到非同步整流控制的信号时，反馈控制部10b从基于切换用占空比d′变更为基于通常占空比d的反馈控制。电源裸板是什么意思？中国台湾特殊裸板电源

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