瓷片电容在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式!广东质量瓷片电容全国发货
高压瓷片电容相信接触过电容器的人都很熟悉,比较广泛应用在空调,冰箱等家用电器中,基本功能大家应该也有所了解,起到保护作用。高压瓷片电容器,就是以陶瓷材料为介质的电容器,其一个关键的性能就是耐压高,1KV,2KV、3KV,6KV等电压都很多见。瓷片电容突出优点是1、容量的消耗随热度频度具有很高的稳定性。2、额外的串联**符合于高电压及长远工作可靠性。3、高电流提高速率并实用于大电流闭合电路无感型构造。高压瓷片电容还适合用在高压旁路系统或功能有滤波、蓄能、隔离、阻抗变换等,所以很多厂家都用在电磁信号的接收中和扫描机中。深圳**瓷片电容价格合理它的特点是容量大,适用于电源滤波或低频电路。
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷瓷片有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大;II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好;III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态,这是它的弱点。而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态。
什么是瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。瓷片电容规格1、高压陶瓷电容,一般耐压1KV以上的。2、中压陶瓷电容,一般指100-1KV的。3、低压陶瓷电容,一般指100V以下的。至于型号:就和普通电容一样,基本的容值都有。1p-104pf里都有。瓷片电容的电容量一般以pF(10的-12次方F)为单位,早期产品多采用直接标注,如1000p、220p等;现在一般以常用**表示法,如102、221,前两位数是电容量的有效数字,后一位数是后面添零的个数,如102表示有效数是10,2表示后面再添2个0,即1000pF;221表示有效数22,1表示后面再添1个0,即220pF。低压陶瓷电容,一般指100V以下的。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。一方面是集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5nH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选择10μF左右。比较好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。钽铌电解电容器体积小、容量大、性能稳定、寿命长绝缘电阻大。深圳直销瓷片电容****
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。广东质量瓷片电容全国发货
过压(电压超过额定电压),当瓷片电容上所施加电压高于额定工作电压时,电容器的漏电流将上升,其电氧物性将在短期内劣化直至损坏。4,施加反向电压或交流电压,当直流铝电解电容器按反极性接入电路时,电容器会导致电子线路短路,由此产生的电流会引致电容器损坏,若电路中有可能在负引线施加正极电压,选用无极性电容器。5,使用于反复多次急剧充放电的电路中,如快速充电用途,其使用寿命可能会因为容量下降,温度急剧上升等而缩减。6,在直接与水,盐水,油类相接触或结露的环境,充满有害气体的环境(硫化物),直接日光照射,臭氧,紫外线及有放射性物质的环境,振动及冲击条件超过了样本及说明书规定范围的恶劣环境下,禁止使用电容器。广东质量瓷片电容全国发货
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