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低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。更换时事先必须根据备用电容器的记录资料，核对其电容值合绝缘电阻是否合格，并检查有无渗、漏油现象。深圳**瓷片电容服务至上

瓷片电容的电容量一般以pF（10的-12次方F）为单位，早期产品多采用直接标注，如1000p、220p等；现在一般以常用**表示法，如102、221，前两位数是电容量的有效数字，后一位数是后面添零的个数，如102表示有效数是10，2表示后面再添2个0，即1000pF；221表示有效数22，1表示后面再添1个0，即220pF。瓷片电容如何进行分类按介质材料可分为：高介电常数电容器和低介电常数电容器；按工作频率可分为：高频瓷介电容器和低频瓷介电容器；按工作电压可分为：高压瓷介电容器和低压瓷介电容器。按外形结构可分为：圆片形、管形、穿心式、筒形以及叠片式等。深圳优良瓷片电容欢迎来电瓷片电容的基本单位用法拉（F）表示。

滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越小高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

瓷片电容在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

瓷片电容相对正式的称谓是圆片瓷介电容器，是用陶瓷粉模压成型，然后烧结而成。(陶瓷又分I类瓷，II类瓷，III类瓷)单片瓷，单层结构，一般纽扣大小，带两根引脚。正因为单层结构，瓷片电容器，一般容量不大，但电压高。陶瓷电容：用高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡一氧化钛)挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。独石电容和瓷片电容都属于陶瓷电容，陶瓷电容是总称。电容器体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，不过容量不大，适用于高频电路。深圳质量瓷片电容承诺守信

优点：稳定，绝缘性好，耐高压。深圳**瓷片电容服务至上

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷瓷片有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态，这是它的弱点。而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。深圳**瓷片电容服务至上

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