深圳小型瓷片电容***的选择

瓷片电容的读数方法瓷片电容的读数方法和电阻的读数方法基本相同，分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法（nF），1纳法=1000皮法（pF）。容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。电容一般可以分为有极性电容和无极性电容。深圳小型瓷片电容***的选择

瓷片电容器应用于电源电路的主要作用是完成耦合、振荡/同步及时间常数电容器，简称电容，用字母C表示，国际单位是法拉，简称法，用F表示，在实际应用中，电容器的电容量往往比1法拉小得多，常用较小的单位，如微法(μF)、皮法(pF)等。电容一般可以分为有极性电容和无极性电容。瓷片电容一般是无极性电容，容量值一般小于1μF，比如常用的瓷片电容0.1UF（104）。1、时间常数这就是常见的R、C串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：i=(V/R)e-(t/CR)广东正规瓷片电容诚信企业推荐瓷片电容：多数在1μF以下，直接用数字表示。

耦合举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。3、时间常数这就是常见的R、C串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：i=(V/R)e-(t/CR)

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。瓷片电容比独石电容价格低。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。一方面是集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5nH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。比较好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。按工作电压可分为：高压瓷介电容器和低压瓷介电容器。广东**瓷片电容常用解决方案

陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。深圳小型瓷片电容***的选择

高压瓷片电容相信接触过电容器的人都很熟悉，比较广泛应用在空调，冰箱等家用电器中，基本功能大家应该也有所了解，起到保护作用。高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器，其一个关键的性能就是耐压高，1KV，2KV、3KV，6KV等电压都很多见。瓷片电容突出优点是1、容量的消耗随热度频度具有很高的稳定性。2、额外的串联**符合于高电压及长远工作可靠性。3、高电流提高速率并实用于大电流闭合电路无感型构造。高压瓷片电容还适合用在高压旁路系统或功能有滤波、蓄能、隔离、阻抗变换等，所以很多厂家都用在电磁信号的接收中和扫描机中。深圳小型瓷片电容***的选择

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