天津封装晶振

晶振的更换判断出晶振有问题如何更换？首先频率要相同有没有误差呢？同电阻电容一样也有误差,一般用PPM，百万分之一，举例6Mhz+/-50PPM，频率范围在5999700-6000300内都是正常的，代换时如果电路对时间要求不是很严格，可以不用考虑这个问题。第二驱动功率有些IC驱动电压低，换用驱动功率高的晶体不易起振，有些起振后，幅度过低不稳定，比较好换驱动功率低的，容易起振电路稳定，之前曾遇到过这样的问题。有线线路一碰晶振，就停止振荡，怎么办？可以尝试把晶振外壳接地，或换有源晶振。有人会问无源晶振两只脚，有源晶振3只或许4只脚如何代换把有源有源晶振信号输出脚接CPU振荡信号输入脚，任何事情都有例外，有的CPU接振荡信号输出脚也可以，这都是本人亲身经历过的。第三温度系数，对于民用产品影响不大，可以不用考虑MEMS技术用于超小型音叉晶体，使体积压缩至原有产品十分之一。天津封装晶振

无源晶振产销量在晶振市场中占较大份额。根据CS&A数据，2018年全球利用石英晶体制成的频率元件产值为33亿美元，其中无源产品产值为18亿美元，占比为55.3%。石英晶体频率元件年销量180亿颗，其中无源产品销量为164.45亿颗，占比为89.3%。根据压电晶体行业协会（PCAC）的数据，国内市场2016年石英及陶瓷等各类材料制成的无源晶振销量达到185.7亿颗，其中音叉晶体谐振器、微型SMD高频晶体谐振器的销量分别为85.1亿只和100.6亿只，销售额分别为14.6亿元和49.3亿元。海南晶振参数是什么决定晶振的频率。

设计考虑事项：1、使晶振、外部电容器(如果有)与IC之间的信号线尽可能保持短。当非常低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对EMC、ESD与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。2、尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。3、当心晶振和地的走线4、将晶振外壳接地如果实际的负载电容配置不当，会引起线路参考频率的误差。另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降(不在峰点)，影响混频信号的信号强度与信噪。当波形出现削峰，畸变时，可增加负载电阻调整(几十K到几百K).要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻。

晶振与匹配电容的经验总结，匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2、负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3、一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。国产厂商以中低端晶振为主，***晶振国产替代需求强烈。

既然晶体两端非常敏感，不便于接上探头测量，那可以换一种思路，在其他地方测量该信号。某些时钟芯片带clockout功能，此功能是buffer晶体的信号，其管脚的输出是有很强大的驱动能力的，因此可以直接使用探头测量。晶体发出的时钟输入到处理器中，可以使用计时器对此信号作分频处理，然后将分频后的信号输出到管脚。这样我们只需测量分频后的信号，即可计算出原有时钟的频率。这种间接测试的方法，只能测试晶体的频率，不能测量晶体输出信号的幅度。若能在设备的工况范围都测试其频率的准确性，那晶体电路的工作就是OK的。晶振QMEMS技术及其供应链情况。贵州晶振的英文

选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。天津封装晶振

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drivelevel调整用。用来调整drivelevel和发振余裕度。Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体震荡的.因此，在反相器的两端并联一个电阻，由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈，构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上，电阻与晶体的等效阻抗是并联关系，自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?天津封装晶振

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