三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的电流放大作用。三极管其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里。绍兴PNP型三极管市场报价
制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给。广东半导体三极管接线图“Triode”（电子三极管）这个是英汉词典里面 “三极管” 的英文翻译。
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
三极管极限参数 集电极大允许电流ICM当集电极电流超过一定值时，β就要下降，当β值下降到线性放大区β值的2/3时，所对应的集电极电流称为集电极大允许电流ICM。当IC>ICM时，并不表示三极管会损坏。 集电极大允许功率损耗PCM集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICUCB≈ICUCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用UCE取代UCB。反向击穿电压U(BR)CEO反向击穿电压U(BR)CEO,U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。TO-252封装三极管选型可以找盟科电子。
电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管） 等，它们的型号也都印在金属的外壳上。一部分的3表示为三极管。 二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。三极管两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。绍兴PNP型三极管市场报价
三极管NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反。绍兴PNP型三极管市场报价
三极管的注意事项：三极管选择“开关三极管”，以提高开关转换速度；电路设计，要保证三极管工作在“饱和/截止”状态，不得工作在放大区；也不要使三极管处于深度过饱和，否则也影响截止转换速度；至于截止，不一定需要“负电压”偏置，输入为零时就截止了，否则也影响导通转换速度。三极管作为开关时需注意它的可靠性；在基极人为接入了一个负电源VEE，即可解决它的可靠性。三极管的开关速度一般不尽人意；需要调整信号的输入频率。绍兴PNP型三极管市场报价
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