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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。裸板电源的价格咨询上海衡孚电子科技有限公司。品质裸板电源质量保证

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所述开关电源电路100还包括：原边电路u2，产生原边控制信号gq1，用以控制原边功率开关q1的导通与断开。图3示出图1所示实施例中原边控制信号gq1、流过原边功率开关q1的电流iq1、流过副边开关电路101的电流i101以及副边控制信号gsr的时序波形图。如图3所示，在t0时刻以前，原边功率开关q1处于导通状态，流过电气隔离装置t原边t1的电流线性上升。这个阶段与传统反激电路一致。在t0时刻，原边功率开关q1被断开，副边开关电路101开始续流，其电流方向为***电流方向，图3所示此时电流为正向电流。在t1时刻，流过副边开关电路101的电流下降到零，续流结束。续流过程中，如果副边开关电路101采用二极管续流，则不需要副边控制信号gsr对副边开关电路101进行导通控制。因此，在图3中，副边控制信号在该时间段内表示为虚线。在t4时刻，原边功率开关q1被重新导通。在此时刻之前的一段时间，即t2时刻，副边控制信号gsr控制副边开关电路101导通一段时间，直至t3。如图3所示，此时流过副边开关电路101的电流i101为负向电流，即与***电流方向相反的第二电流方向。在t2～t3时间段内，由于副边开关电路101第二次导通的反向电流经过变压器耦合到原边，给变压器原边的激磁电感充电。电源板裸板采购/批发价格。

因此，t4时刻，原边电路u2响应fbo的边沿跳变，将原边功率开关q1导通。流过原边功率开关q1的电流开始增大。当表征流过原边功率开关q1电流的原边采样电流vcsp增大至补偿信号vc时，原边功率开关q1被断开。可以看到，前述多个根据本发明实施例的开关电源电路，其控制电路均在副边实现，通过隔离反馈单元op传输反馈输出信号fbo，该反馈输出信号fbo结合了用以控制原边功率开关q1断开时刻的误差信号vea和控制原边功率开关q1导通时刻的信号。即前述多个根据本发明实施例的开关电源电路用一个信号通道实现副边对原边功率开关的导通和断开控制：反馈输出信号fbo既反映误差信号vea，以对原边功率开关q1的断开时间进行控制，又反映原边功率开关q1两端电压为零的时间点，并在该时间点导通原边功率开关，从而实现了对原边功率开关的零电压(zvs)开通，降低了损耗。参见图17，为根据本发明实施例的开关电源电路1700的电路结构示意图。图17所示实施例示出了反馈控制器14和原边电路u2的另一电路结构示意图。在图17所示实施例中，所述反馈控制器14包括：三角波发生器34，产生三角波信号vsaw，所述三角波信号vsaw的频率由第二副边信号产生器12决定。供应12V3.3A裸板电源。标准裸板电源诚信为先

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