肖特基二极管：肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。隧道二极管又称为江崎二极管，它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其优点是开关特性好，速度快、工作频率高，多应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。二极管在收音机中都更为常用。湖州快恢复二极管作用
光电二极管的工作模式可以分为以下两种:零偏压下的光电压模式和反偏压下的光电导模式。光电压模式具有较好的精密度和线性度的特点，光导模式能提供较高的速度，适合于检测高速光脉冲，但是线性度不佳。在有外加反向偏压的情况下，光电二极管即使在没有光照射下也有少量的电流流过，这个电流称为暗电流。光电压模式下没有暗电流，噪声主要是并联电阻产生的热噪声。光电导模式下，噪声除了热噪声外，还有散粒噪声。光电二极管通常在光电压模式和光电导模式中选择较好的设计，而不是二者同时优化使用。浙江光电二极管接线图光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。
二极管的分类：发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(Light Emitting Diode)。和普通二极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成。发光二极管的PN结封装在透明塑料壳内，外形有方形、矩形和圆形等。发光二极管的驱动电压低、工作电流小，具有很强的抗振动和冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点，普遍用于信号指示等电路中。在电子技术中常用的数码管，发光二极管的原理与光电二极管相反。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来，这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。它的光谱范围比较窄，其波长由所使用的基本材料而定。
二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。20世纪50年代，高纯度的半导体材料出现。因为新出现的锗二极管价格便宜，晶体收音机重新开始被大规模使用。贝尔实验室还开发了锗二极管微波接收器。20世纪40年代中后期，美国电话电报公司在美国四处新建的微波塔上开始应用这种微波接收器，主要用于传输电话和网络电视信号。不过贝尔实验室并未研发出效果令人满意的热离子二极管微波接收器。之后随着量子力学和半导体材料的发展和应用，逐渐发展并形成了目前人们使用的半导体二极管结构和配套的应用产业。二极管使用中不要超过二极管整流电流值。
光电二极管特性可以用一个等效电路模型表示，该模型由一个理想的二极管一个电流源和其他寄生的电阻电容构成。其中电流源表示了光电二极管产生的光电流信号，理想二极管表示了P-N结，体现了光电二极管正向偏压状态时的电压条件。旁路电阻R表示了光电二极管的伏安特性曲线中的斜率，即偏压为零时的结电阻。对理想的光电二极管来说，旁路电阻是无穷大的，但实际应用中旁路电阻阻值的变化为10- 1000M。旁路电阻影响了光电二极管的暗电流噪声，光电二极管的性能越好，其旁路电阻越大。串联电阻R是由接触电阻和未耗尽的体电阻构成，大小与光电二极管的尺寸、偏压有关；结间电容C表示了光电二极管P-N结的电荷存储能力，与二极管面积和反向电压有关。稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。苏州阻尼二极管价格
二极管在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。湖州快恢复二极管作用
二极管的起源早在20世纪40年代，人们就开始利用金属-半导体接触的单向导电性，当时将金属丝与氧化亚铜晶体接触做成点接触型二极管，将这种较简单的半导体器件用于检波。利用薄膜淀积技术可在半导体表面形成大面积的金属-半导体整流接触，做成面接触型的金属-半导体二极管，习惯上称之为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。目前，功率肖特基势垒二极管主要用铬、铂、钨、铝等金属与N型低阻硅制成 这里需要对阴极金属与重掺杂的N+层之间的接触进行说明。首先肯定是该接触为欧姆接触，与阳极的金属-半导体的整流接触不同。欧姆接触不光光看金属和半导体的功函数之差。更广义的所谓欧姆接触，是指接触电阻很小且不随外加电压的变化而改变其阻值的线性接触。湖州快恢复二极管作用
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