电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管） 等，它们的型号也都印在金属的外壳上。一部分的3表示为三极管。 二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。三级管硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。金华半导体三极管测量方法
三极管放大电路的原理：信号放大输入信号Ui经C1耦合到VT的基极，使VT的基极电流Ib随Ui变化而变化，致使VT的发射极电流Ie随之变化，并且变化量为（1+β）Ib。Ie在R2两端产生随之变化的压降U2。U2经C2耦合后得到交流输出信号Uo。由于Uo与Ui的相位相同，所以该放大器也叫射极跟随放大器，简称射极跟随器。通过以上分析可知，共集电极放大器的输入信号Ui是从放大器的基极、发射极之间输入的，输出信号Uo取自发射极。由于U2等于Ub−0.6V，所以该放大器有电流放大功能，而没有电压放大功能。南通晶体三极管市场报价S8550LT1 2TY PNP三极管盟科电子做得是高温背金工艺的，很稳定。
三极管放大电路的原理：共发射极放大电路共发射极放大器是应用普遍的放大器。所谓的共发射极放大器就是信号输入和信号输出都要依靠发射极完成的放大器。是一种典型的共发射极放大器。在该放大器内，VT是放大管，C1是输入信号耦合电容，C2是输出信号耦合电容，R1、R2是VT基极的直流偏置电阻，R3是VT的集电极负载电阻，VCC是供电电压，Ui是输入信号，Uo是输出信号。直流偏置供电电压VCC通过R1、R2分压后，加到VT的基极，为基极提供直流偏置电压，基极电压Ub≈VCCR2/（R1+R2）。流过R1的电流分两路到地：一路通过R2到地，另一路通过VT的发射极到地。
晶体三极管的特性曲线：晶体三极管的输入特性曲线。当UCE=0时，相当于集电极与发射极短路，即发射结与集电结并联。因此，输入特性曲线与PN结的伏安特性类似，呈指数关系。当UCE增大时，曲线将右移。对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以近似UCE大于1V的所有输入特性曲线。晶体三极管的输出特性曲线5所示。对于每一个确定的IB,都有一条曲线，所以输出特性的一族曲线。截止区:发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置。放大区:发射结正向偏置且集电结反向偏置。饱和区:发射结与集电结均处于正向偏置。三极管NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反。
正向放大区（或简称放大区）：当发射结正向偏置，集电结反向偏置时，晶体管工作在放大区。大多数双极性晶体管的设计目标，是为了在正向放大区得到大的共射极电流增益。晶体管工作在这一区域时，集电极-发射极电流与基极电流近似成线性关系。由于电流增益的缘故，当基极电流发生微小的扰动时，集电极-发射极电流将产生较为有名变化。反向放大区：当发射结反向偏置，集电结正向偏置时，晶体管工作在反向放大区。此时发射区和集电区的作用与正向放大区正好相反，但由于集电区的掺杂浓度低于发射区，反向放大区产生的放大效果小于正向放大区。而大多数双极性晶体管的设计目标是尽可能得到大正向放大电流增益，因此在实际这种工作模式几乎不被采用。三极管产品参数VCEO集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。深圳硅管三极管
三极管按结构分: NPN 、 PNP。金华半导体三极管测量方法
三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。二战时，上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。金华半导体三极管测量方法
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