过零触发可控硅光耦

光耦，是众多电子元器件中的其中一种，其作用是在数字电路上起到输入、输出、隔离的作用。光耦的种类繁多，像是小型光耦、宽体光耦、高速光耦、贴片光耦等等、每种类型的光耦都有它的用途，而在本篇文章中，让超毅电子小编为大家推荐一些超小型的光耦吧！小型高速光耦ELM452，ELM453，ELM453L，ELM453H，ELM456小型可控硅光耦ELM3042，ELM3043，ELM3044，ELM3062，ELM3063，ELM3064，ELM3082，ELM3083，ELM3084，ELM3022，ELM3023，ELM3024，ELM3052，ELM3053，ELM3054光耦如何选型？光耦应用推荐。过零触发可控硅光耦

电气隔离，就是将电源与用电回路作电气上的隔离，即将用电的分支电路与整个电气系统隔离，使之成为一个在电气上被隔离，以房子在裸露导体故障带点情况下发生间接触电危险，基本上如今带电的设备都会有电气隔离。电器隔离的方式有很多种，比如变压器隔离、机械式隔离、电容器隔离和光电式隔离等等，其中光电式隔离是使用光电耦合器来进行隔离的，光电耦合器简称光耦，它是一种将红外发光二极管和红外光敏二极管封装在一个绝缘的塑胶基材内。光耦在电路上的电气隔离作用减少两个不同电路之间的干扰，光耦隔离后可以避免不想要的电流在二个电路之间流动，也就切断了接地回路，也在电气安全上可以避免意外产生的电流流到人员身上，因而造成触电。tlp521-1光耦中文资料槽形光耦常用的几款亿光侧面发射接收管。

光耦作用在PLC控制器上，光耦主要作用是在输入、输出侧电路进行有效的电气隔离，如果没有光耦进行隔离，那么非常容易损害其他的电子元器件，因为PLC控制器在工作时会产生一个泵相电压，电压会反向干扰我们的单片机，从而使单片机受到损坏。在PLC控制器上推荐使用亿光直流光耦EL357N-G、要求更小体积推荐EL3H7-G，或者是亿光交流光耦EL354N，要求更小体积可选EL3H4，这些光耦都可应用于PLC的I/O接口进行光电隔离。在使用上述这些光耦之后，会把电路进行完全的隔离，这样就能保护好电路，让电路更加稳定。

***类，基础光耦，例如亿光光耦EL357N，可以对UPS不间断电源进行高低压电气隔离。基础光耦的内部结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又达到了高低压电气隔离作用。  第二类，驱动光耦，例如亿光光耦EL3120，可在UPS不间断电源内驱动功率器件。光耦驱动的过程中一定要注意基极驱动电阻RF和集电负载电阻R1.如果R1取得过小，可能会是光耦不能工作在饱和状态，这对光耦作为开关器件来使用是不利的。第三类，高速光耦，例如亿光光耦ELM45X，对UPS不间断电源起一定传输和通讯作用。高速光耦与普通光耦不一样，高速光耦的结构是光敏二极管+放大驱动电路，普通光耦的结构是光敏三极管（+放大驱动电路）。光敏二极管的响应速度（上升下降时间）是纳秒级，光敏三极管的响应速度（上升下降时间）是微秒级。不是说普通光耦工作在线性区它就能高速，它固有的响应时间就限死了它想快也快不起来。亿光EL1018光耦在公牛20W快充充电器上的应用。

光耦隔离传输数字量时，要考虑光耦的响应速度问题。当光耦合器隔离数字信号用于控制系统设计时，光电耦合器的传输特性，即传输速度，通常成为系统比较大数据传输速率的决定因素。在许多公交型工业测量和控制系统中，为了防止模块之间的相互干扰，还要不降低通信波特率，我们必须使用高速光耦合器来实现模块之间的相互隔离。常用的高速光耦合器有EL6N135、EL6N136、EL6N137、EL6N138。此处介绍一种可以以提高正常光耦合器的开关速度。由于光耦合器本身存在的分布电容，对传输速度产生影响，并且光敏三极管内部存在分布式电容器CBE和CCE。由于光电耦合器相对较低，所收集器负载电阻不能太小，否则输出电压的摆动受到限制。但是，负载电阻不应过大，负载电阻器RL越大，由于存在分布电容，光电耦合器的频率特性越差，传输延迟越长。 使用2光电耦合器T1，T2连接到互补的推挽电路，并且可以提高光耦合器。当脉冲升高到“1”时，接通T1，T2接通。相反，当脉冲是“0”电平时，T1导通，关闭T2。这种互补推拉电路的这种频率特性极大地优于单个光电耦合器的频率特性。开关电源应用的亿光光耦。p421光耦代换

光耦失效的几种常见问题？过零触发可控硅光耦

    光耦代替推荐亿光光耦EL3H4，这款光耦是一款双向输入光耦、交流输入光耦，它是一款贴片封装的小体积光耦，脚距*有，这使得它可以应用在一些特殊的电路上，例如在一些设计狭窄的电路上就可以使用到，还可以有效的为电路板节省空间。槽形光耦常用的几款亿光侧面发射接收管亿光的发射管有一个特殊制程，就是在发射管芯片上点矽胶，然后再压膜成型，听说是改善发射管的抗高低温冲击或高低温循环实验，以便发射管适应不同的温度环境而达到**少的变异，同时为了改善发射管芯片上点矽胶的制程品质问题，2018年已添加色素在矽胶内，所以发射管中心显示红色，以便自动化监测点矽胶制程品质，以前的矽胶未添加色素，呈水清透明状，难以识别矽胶是否有点到或点多少的量。 过零触发可控硅光耦

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