三相负载吸收的功率等于各相功率之和。上节已经分析了，如果把电阻R的星接结构改成角接结构，更改后的角接结构等效变换为星接结构时，对应的星接等效电阻为R/3。如下图所示：角接等效星接三相对称电路的瞬时功率P为各相负载瞬时功率之和：那么，此时的相电流为更改前相电流的3倍。因此，更改后的三相对称电路功率P为更改**相对称电流功率P0的3倍：晶闸管额定通态电流通常为电路额定电流的2倍。这意味着晶闸管比较大运行功率为额定功率的2倍，因此：同样阻值的电阻，由星接更改为角接后，三相对称电路的功率增大了3倍。这导致了晶闸管功率超限而烧毁。保证系统运行的基本要求：1从晶闸管的功率选型来看，需要把三角形连接电阻结构改为星接电阻结构。2如果电阻丝连接结构由星接变为角接，要想保证设备能正常工作，需要更换耐流比现有晶闸管大3倍的晶闸管器件。或者更换耐流比现有晶闸管大2倍的晶闸管器件同时把晶闸管的连接方式放在三角形里面与电阻串联。更换晶闸管后设备可以提高3倍功率运行。3如果更换晶闸管后，设备还需要保持原有功率运行则需要如下操作：软件控制方面要保证系统稳定运行，应进行输出功率限幅，降低系统控制输出力度。正高电气锐意进取，持续创新为各行各业提供专业化服务。青岛MTAC75晶闸管智能模块
以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，*当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值。滨州MTDC55晶闸管智能模块配件正高电气不懈追求产品质量，精益求精不断升级。
晶闸管智能模块的应用领域
晶闸管智能模块普遍应用于温度控制、调光、励磁、电镀、电解、充放电、焊机、等离子弧焊、逆变电源等领域，如工业、通讯、等电气控制、电源等。根据模块的控制端口，可以与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，可实现过热、缺乏等保护功能。
晶闸管智能模块的控制方式
该输入模块控制该接口的可调节电压或电流信号，该模块的输出电压可通过调整该信号的大小来平稳地调节，以实现将该模块的输出电压从0V切换到任意一个或全部的过程。
电压或电流信号可从各种控制仪表和计算机D/A输出中获取，电位器可直接与直流电源分开，控制信号采用3种常用的控制形式：0-5V、0-10V、4-20mA。
晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。正高电气以快的速度提供好的产品质量和好的价格及完善的售后服务。
由与非门的逻辑关系可知此时YFA3脚输出为高电平，经过YF2反相变为低电平，D1截止后级电路不动作。晚上光线暗RG阻值变大，YFA1脚电位升高，如果此时有声音被MIC接收，经C1耦合T1放大，在R3上形成音频电压，此电压如高于1/2电源电压，则YF13脚输出低电平，经YFB反相，4脚输出的高电平经D1向C2瞬间充电，使YFC输入端接近电源电压，10脚输出低电平，由YFD反相缓冲后经R6触发可控硅导通，电灯正常点亮。（此时则由C3向电路供电）如此后无声被MIC接收，则YFA输出恢复为高电平，C2通过R5缓慢放电，当C2电压下降到低于1/2电源电压时（按图中参数约一分钟）YFC反转、YFD反转，可控硅（SCR）截止电灯关闭，等待下次触发。元件选择：MIC用驻极体话筒，RG用一般光敏电阻即可，YFA-YFD用一片低工S四与非门电路TC4011，T1用9014低频管，放大倍数越大灵敏度越高，D1用IN4148，D2是，C2、C3用电解电容、SCR可选用MCR100-61A的单向可控硅，电阻均为1/8w炭膜电阻，阻值按图。D4-D7用IN4007，反向漏电必须小。电灯的功率不能超过60W。正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种，为用户提供了更多的选择空间。滨州MTDC55晶闸管智能模块配件
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逆变桥进入工作状态，开始起振，若不起振，表现为它激信号反复作扫频动作，可调节中频电压互感器的相位，即把中频电压互感器20V绕组的输出线对调一下。若把中频电压互感器20V绕组的输出线对调后，仍然起动不起来。此时应确认一下槽路的谐振频率是否正确，可以用电容/电感表测量一下电热电容器的电容量及感应器的电感量，计算出槽路的谐振频率，当槽路的谐振频率处在比较高它激频率的，起动应该是很容易的。再着就是检查一下逆变晶闸管是否有损坏的。（W3W4）逆变起振后，可做整定逆变引前然的工作，把DIP开关均打在OFF位置，用示波器观察电压互感器100V绕组的波形，调节主控板上W4微调电位器，使逆变换相引前角在22°左右，此时中频输出电压与直流电压的比为（若换相重叠角较大，可适当增大逆变换相引前角），此步整定的是**小逆变引前角，一般期望它尽可能的小，当然，过小的逆变换相此前角会使逆变换相失败，表现为中频电压升高时，会出现重复起动。再把DIP-2开关打在ON位置，调节主控板上W3微调电位器，整定比较大逆变换相引前角。根据不同的中频输出电压的要求，比较大逆变换相引前角亦不同，如中频装置三相输入电压为380V，额定中频输出电压为750V时。青岛MTAC75晶闸管智能模块
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