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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。电源板裸板采购/批发价格。品质裸板电源市面价

因此，t4时刻，原边电路u2响应fbo的边沿跳变，将原边功率开关q1导通。流过原边功率开关q1的电流开始增大。当表征流过原边功率开关q1电流的原边采样电流vcsp增大至补偿信号vc时，原边功率开关q1被断开。可以看到，前述多个根据本发明实施例的开关电源电路，其控制电路均在副边实现，通过隔离反馈单元op传输反馈输出信号fbo，该反馈输出信号fbo结合了用以控制原边功率开关q1断开时刻的误差信号vea和控制原边功率开关q1导通时刻的信号。即前述多个根据本发明实施例的开关电源电路用一个信号通道实现副边对原边功率开关的导通和断开控制：反馈输出信号fbo既反映误差信号vea，以对原边功率开关q1的断开时间进行控制，又反映原边功率开关q1两端电压为零的时间点，并在该时间点导通原边功率开关，从而实现了对原边功率开关的零电压(zvs)开通，降低了损耗。参见图17，为根据本发明实施例的开关电源电路1700的电路结构示意图。图17所示实施例示出了反馈控制器14和原边电路u2的另一电路结构示意图。在图17所示实施例中，所述反馈控制器14包括：三角波发生器34，产生三角波信号vsaw，所述三角波信号vsaw的频率由第二副边信号产生器12决定。海南裸板电源**知识12V1A裸板电源|12V1A开关电源裸板|12W裸板电源。

所述开关电源电路500还包括：误差放大器ea，对与输出电压vo成比例的反馈电压vfb和参考电压vr的差值进行放大并积分，得到所述误差信号vea。图6示出根据本发明实施例的副边控制电路u1的电路结构示意图。在图6所示实施例中，***副边信号产生器11包括：***比较器15，比较电流采样信号vcsr与***阈值vth1的大小；第二比较器16，比较电流采样信号vcsr与第二阈值vth2的大小；***逻辑电路17，根据***比较器15和第二比较器16的比较结果，产生***控制信号gsr1。第二副边信号产生器12包括：触发信号发生电路18，产生触发信号；第二逻辑电路19，根据触发信号，产生所述第二控制信号gsr2。在一个实施例中，当电流采样信号vcsr小于***阈值vth1时，所述***逻辑电路17被置位；当电流采样信号vcsr大于第二阈值vth2时，所述***逻辑电路17被复位。在一个实施例中，***逻辑电路17包括rs触发器。在一个实施例中，所述触发信号具有固定的频率，如触发信号发生电路18包括开关频率产生电路，如图7所示。该频率可由系统设定；也可以基于表征输出电压vo的误差信号vea，随vea变化而变化。如在图7所示实施例中，开关频率产生电路可以接收表征输出电压vo的误差信号vea(虚线表示)。

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